@phdthesis{Hessler2005,
  author    = {Heßler, Markus},
  title     = {Elektronenspektroskopie an {\"U}bergangsmetallclustern},
  url       = {http://nbn-resolving.de/urn:nbn:de:bvb:20-opus-18689},
  school      = {Universit{\"a}t W{\"u}rzburg},
  year      = {2005},
  abstract  = {Im Rahmen der vorliegenden Arbeit wurden Untersuchungen zum Magnetismus und der elektronischen Struktur deponierter Cluster der 3d-{\"U}bergangsmetalle Fe, Co und Ni durchgef{\"u}hrt. Dabei zeigte sich, dass die Deposition der Cluster in Argon-D{\"u}nnfilme nicht nur zur fragmentationsfreien Probenpr{\"a}paration genutzt werden kann, sondern auch die Untersuchung der Cluster in einer Umgebung mit geringer Wechselwirkung erlaubt. Die Beobachtung des atomaren Co-Multipletts sowie die {\"U}bereinstimmung der, mittels XMCD bestimmten, magnetischen Gesamtmomente von Fe- und Co-Clustern mit Gasphasenexperimenten zeigen auf, dass unter stabil gew{\"a}hlten Bedingungen die intrinsischen magnetischen Clustereigenschaften tats{\"a}chlich experimentell zug{\"a}nglich sind. Die synchrotroninduzierte Mobilit{\"a}t von Clustern und Argon manifestiert sich in der Ver{\"a}nderung der Form der Absorptions- und Photoemissionslinien sowie in der zunehmenden Verminderung der gemessenen Magnetisierung. Neben den geeigneten Experimentierbedingungen ist zur Bestimmung der magnetischen Momente die Anwendbarkeit der XMCD-Summenregeln auf die Spektroskopie an Clustern notwendig. Besondere Beachtung verdient dabei auf Grund der reduzierten Symmetrie in Clustern der "magnetische Dipolterm" zur Spin-Summenregel. Der Vergleich des spektroskopisch ermittelten Gesamtmoments mit demjenigen, welches aus superparamagnetischen Magnetisierungskurven bestimmt wurde, erlaubt es, f{\"u}r seinen Beitrag bei Co-Clustern eine obere Schranke von 10\% anzugeben. Erwartungsgem{\"a}ß weisen die Spinmomente von Fe- und Co-Clustern gemessen am Festk{\"o}rper deutlich erh{\"o}hte Werte auf, allerdings reichen sie nicht an die mittels Stern-Gerlach-Ablenkung bestimmten magnetischen Gesamtmomente der Cluster heran. Die elektronische Struktur von Nickelclustern erweist sich als sehr empfindlich gegen Wechselwirkungen mit Fremdatomen, so dass die magnetischen Resultate aus der Gasphase nicht nachvollzogen werden k{\"o}nnen. Allen Clustern in der Argonumgebung ist jedoch eine starke Erh{\"o}hung des bahnartigen Anteils am Gesamtmoment, generell auf mehr als 20\% gemein. Damit kann nachgewiesen werden, dass die bestehende Diskrepanz zwischen berechneten Spinmomenten und experimentell bestimmten Gesamtmomenten in der Tat auf große Bahnmomente zur{\"u}ckzuf{\"u}hren ist. Dies gilt um so mehr, als die in dieser Arbeit bestimmten magnetischen Gesamtmomente an Fe- und Co-Clustern in guter {\"U}bereinstimmung mit Stern-Gerlach-Experimenten stehen. Die Wechselwirkung der Cluster mit der Oberfl{\"a}che des Graphits f{\"u}hrt bereits in den XAS-Absorptionsprofilen der L-Kanten zu sichtbaren Ver{\"a}nderungen in Form und energetischer Position der Absorptionsresonanzen. Alle untersuchten Cluster erfahren gleichzeitig eine starke Reduktion ihrer magnetischen Momente, h{\"a}ufig bis unter die Nachweisgrenze. Unter diesen Umst{\"a}nden ist es durchaus angebracht, von einer starken Cluster-Substrat-Wechselwirkung auszugehen. Dieser Befund wird durch die mittels Photoelektronenspektroskopie erzielten Ergebnisse untermauert. Ver{\"a}nderungen durch das "Einschalten" der Substratwechselwirkung sind sowohl in den Rumpfniveau- als auch den Valenzbandspektren zu erkennen. Charakteristisch f{\"u}r die ausf{\"u}hrlicher untersuchten Ni-Cluster ist die Ausbildung einer, mit dem Graphitsubstrat hybridisierten, Elektronenstruktur mit reduzierter Zustandsdichte in der Umgebung des Ferminiveaus. Eine solche Konfiguration beg{\"u}nstigt die Ausbildung von "low-spin" - Zust{\"a}nden, wie sie in den XMCD-Experimenten bei vorhandener Wechselwirkung mit dem Graphit gefunden werden. Die starke Kopplung der elektronischen Zust{\"a}nde von Cluster und Substrat {\"a}ußert sich ebenfalls in dem Verlust des Fano-Resonanzverhaltens in der resonanten Photoemission an der 3p-Absorptionsschwelle. Das Fehlen der analogen Beobachtung an der 2p-Schwelle, muss einer starken Lokalisierung des 2p-rumpflochangeregten Zwischenzustandes zugeschrieben werden. Die genaue Analyse der Ver{\"a}nderung des resonant-Raman-Verhaltens in der 2p-RESPES k{\"o}nnte wertvolle komplement{\"a}re Informationen liefern, wird aber durch die Gegenwart der Argon-Valenzemission zu stark behindert, um konkrete Aussagen zuzulassen. Die Analyse der RESPES-Daten l{\"a}sst den Schluss zu, dass die tats{\"a}chliche Besetzung der 3d-Zust{\"a}nde durch die Substratwechselwirkung nicht nennenswert ver{\"a}ndert wird. Neben der Charakterisierung der großen magnetischen Clustermomente nach Spin- und Bahnanteilen vermitteln die Experimente dieser Arbeit einen guten Einblick in die Ver{\"a}nderungen der elektronischen Eigenschaften durch die Wechselwirkung mit dem Graphit. Der Einfluss des Substrates f{\"u}hrt zu einer starken Verkleinerung der magnetischen Momente. Offensichtlich wird die elektronische Gesamtenergie an der Grenzfl{\"a}che durch die Ausbildung von hybridisierten Zust{\"a}nden minimiert, welche nahe der Fermienergie eine geringe Zustandsdichte besitzen.},
  subject      = {{\"U}bergangsmetall},
  language  = {de}
}
@phdthesis{Erfurth2010,
  author    = {Erfurth, Felix},
  title     = {Elektronenspektroskopie an Cd-freien Pufferschichten und deren Grenzfl{\"a}chen in Cu(In,Ga)(S,Se)2 D{\"u}nnschichtsolarzellen},
  url       = {http://nbn-resolving.de/urn:nbn:de:bvb:20-opus-46208},
  school      = {Universit{\"a}t W{\"u}rzburg},
  year      = {2010},
  abstract  = {Die in dieser Arbeit untersuchten Solarzellen auf Basis des Verbindungshalbleiters Cu(In,Ga)(S,Se)2 sind zur Zeit das vielversprechendste Materialsystem im Bereich der D{\"u}nnschichtfotovoltaik. Um damit m{\"o}glichst hohe Wirkungsgrade zu erreichen, ist eine CdS-Pufferschicht notwendig, welche aufgrund ihrer Toxizit{\"a}t und des schlecht integrierbaren, nasschemischen Abscheideprozesses durch alternative Pufferschichten ersetzt werden soll. Im Rahmen dieser Arbeit wurden solche Cd-freien Pufferschichten in Chalkopyrit-D{\"u}nnschichtsolarzellen untersucht. Dabei wurde insbesondere deren Grenzfl{\"a}che zum Absorber charakterisiert, da diese eine wesentliche Rolle beim Ladungstr{\"a}gertransport spielt. Die hier untersuchten (Zn,Mg)O-Schichten stellen ein vielversprechendes Materialsystem f{\"u}r solche Cd-freien Pufferschichten dar. Durch den Einbau von Magnesium k{\"o}nnen die elektronischen Eigenschaften der eigentlichen ZnO-Schicht an den Absorber angepasst werden, was zu deutlich h{\"o}heren Wirkungsgraden f{\"u}hrt. Als Hauptgrund geht man dabei von einer besseren Leitungsbandanpassung an der Grenzfl{\"a}che aus, welche allerdings bisher nur grob anhand der Position des Valenzbandmaximums an der Oberfl{\"a}che und der optischen Volumenbandl{\"u}cke abgesch{\"a}tzt werden konnte. In dieser Arbeit wurde diese Grenzfl{\"a}che daher mittels Photoelektronenspektroskopie und Inverser Photoelektronenspektroskopie untersucht, wobei durch die Kombination beider Methoden die Valenz- und Leitungsbandpositionen direkt bestimmt werden konnten. Es wurde gezeigt, dass der Bandverlauf an der Grenzfl{\"a}che tats{\"a}chlich durch die {\"A}nderung des Mg-Gehalts der (Zn,Mg)O-Schichten optimiert werden kann, was eine wichtige Voraussetzung f{\"u}r einen m{\"o}glichst verlustarmen Ladungstransport ist. Im Fall von reinem ZnO wurde ein „cliff" (Stufe nach unten) beobachtet, welches mit steigendem Mg-Gehalt abnimmt schließlich ganz verschwindet. Die weitere Erh{\"o}hung des Mg-Gehalts f{\"u}hrt zur Bildung eines „spike" (Stufe nach oben). Dass es sich bei einer solchen Stufe nicht um die abrupte {\"A}nderung des Bandverlaufs an einer „idealen", scharf definierten Grenzfl{\"a}che handelt, haben die vorliegenden Untersuchungen der chemischen Struktur gezeigt. Infolge der dabei beobachteten Durchmischungseffekte bildet sich eine sehr komplexe Grenzfl{\"a}che mit endlicher Breite aus. So wurde bei der Deposition der (Zn,Mg)O-Schichten die Bildung von In-O-Verbindungen an der Grenzfl{\"a}che beobachtet. Im Fall von Zn konnte die Diffusion in den Absorber nachgewiesen werden, wodurch es dort zur Bildung von ZnS kommt. Im weiteren Verlauf dieser Arbeit wurde die Grenzfl{\"a}che zwischen der (Zn,Mg)O-Pufferschicht und CuInS2-Absorbern untersucht. Durch ihre h{\"o}here Bandl{\"u}cke im Vergleich zu den oben untersuchten Cu(In,Ga)(S,Se)2-Absorbern erhofft man sich eine h{\"o}here Leerlaufspannung und dadurch bessere Wirkungsgrade. Bisher liegt dieser Leistungsanstieg allerdings unter den zu erwartenden Werten, wof{\"u}r eine schlechte Anpassung des Leitungsbandverlaufs an die herk{\"o}mmliche CdS-Pufferschicht verantwortlich gemacht wird. Gerade f{\"u}r dieses Materialsystem scheint sich daher (Zn,Mg)O als Pufferschicht anzubieten, um die Bandanpassung an der Grenzfl{\"a}che zu optimieren. Bei den in dieser Arbeit durchgef{\"u}hrten Untersuchungen an dieser Grenzfl{\"a}che konnten ebenfalls Durchmischungsprozesse beobachtet werden. Zus{\"a}tzlich wurde gezeigt, dass auch bei diesem Materialsystem der Bandverlauf an der Grenzfl{\"a}che durch die Variation des Mg-Gehalts angepasst werden kann. Insgesamt konnte so f{\"u}r beide Absorbertypen ein detailliertes Bild der (Zn,Mg)O/Puffer-Grenzfl{\"a}che gezeichnet werden. F{\"u}r hinreichend gute Wirkungsgrade von Zellen mit „trocken" abgeschiedenen Pufferschichten ist in den meisten F{\"a}llen eine zus{\"a}tzliche, nasschemische Vorbehandlung des Absorbers notwendig, deren Einfluss auf die Absorberoberfl{\"a}che ebenfalls in dieser Arbeit untersucht wurde. Dabei hat sich gezeigt, dass durch eine solche Behandlung das auf der Oberfl{\"a}che angereicherte Natrium vollst{\"a}ndig entfernt wird, was eine deutliche Steigerung desWirkungsgrades zur Folge hat.Weitere Untersuchungen f{\"u}hrten zu dem Ergebnis, dass eine solche Reinigung der Absorberoberfl{\"a}che auch durch den Prozess der Sputterdeposition selbst hervorgerufen werden kann. So kommt es neben der Ablagerung des Schichtmaterials zu deutlichem Materialabtrag von der Absorberoberfl{\"a}che, wodurch diese von Adsorbaten und von auf der Oberfl{\"a}che sitzenden Oxidverbindungen gereinigt wird. Untersuchungen an Absorbern, welche in einem Cd2+-haltigen Bad vorbehandelt wurden, haben gezeigt, dass der dabei abgeschiedene CdS/Cd(OH)2-Film ebenfalls fast vollst{\"a}ndig w{\"a}hrend der Sputterdeposition entfernt wird. Abschließend wurden auf In2S3-basierende Pufferschichten charakterisiert, welche aufgrund ihrer bisher erreichten hohen Wirkungsgrade eine weitere Alternative zu CdS-Puffern darstellen. Hier wurde an der Grenzfl{\"a}che zum Absorber eine starke Diffusion der Cu-Atome in die Pufferschicht hinein beobachtet, wodurch es zur Bildung von CuInS2-Phasen kommt. Messungen an bei verschiedenen Temperaturen abgeschiedenen Schichten haben gezeigt, dass diese Diffusion durch hohe Temperaturen zus{\"a}tzlich verst{\"a}rkt wird. Gleichzeitig konnte auch die Diffusion von Ga-Atomen nachgewiesen werden, welche allerdings wesentlich schw{\"a}cher ausf{\"a}llt. Analog zu den vorangegangenen Ergebnissen konnte somit auch bei diesem Materialsystem die Ausbildung einer sehr komplexen Grenzfl{\"a}chenstruktur beobachtet werden.},
  subject      = {D{\"u}nnschichtsolarzelle},
  language  = {de}
}