@phdthesis{Bentmann2012, author = {Bentmann, Hendrik}, title = {Spin-Bahn-Kopplung in Grenzschichten: Mikroskopische Zusammenh{\"a}nge und Strategien zur Manipulation}, url = {http://nbn-resolving.de/urn:nbn:de:bvb:20-opus-76963}, school = {Universit{\"a}t W{\"u}rzburg}, year = {2012}, abstract = {Die vorliegende Arbeit befasst sich mit dem Einfluss der Spin-Bahn-Kopplung (SBK) auf die zweidimensionale elektronische Struktur von Festk{\"o}rperoberfl{\"a}chen und -grenzfl{\"a}chen. Aufgrund der strukturellen Inversionsasymmetrie kann die SBK in derartigen Systemen eine Spinaufspaltung der elektronischen Zust{\"a}nde herbeif{\"u}hren und eine charakteristische impulsabh{\"a}ngige Spinstruktur induzieren (Rashba-Effekt). Die Studien in dieser Arbeit sind zum einen darauf gerichtet, das physikalische Verst{\"a}ndnis der mikroskopischen Zusammenh{\"a}nge, die die Spinaufspaltung und die Spinorientierung elektronischer Zust{\"a}nde an Grenzfl{\"a}chen bestimmen, zu verbessern. Des Weiteren sollen M{\"o}glichkeiten zur Manipulation der SBK durch kontrollierte Variationen chemischer und struktureller Grenzfl{\"a}chenparameter erforscht werden. Als Modellsysteme f{\"u}r diese Fragestellungen dienen die isostrukturellen Oberfl{\"a}chenlegierungen BiCu2 und BiAg2, deren elektronische Struktur mittels winkelaufgel{\"o}ster Photoelektronenspektroskopie (ARPES) und spinaufgel{\"o}ster ARPES untersucht wird. Die Resultate der Experimente werden mithilfe von ab initio-Rechnungen und einfacheren Modellbetrachtungen interpretiert. Die Arbeit schließt mit einer ausblickenden Pr{\"a}sentation von Experimenten zu dem topologischen Isolator Bi2Se3(0001). Vergleichende ARPES-Messungen zu BiAg2/Ag(111) und BiCu2/Cu(111) zeigen, dass bereits geringe Unterschiede in der Grenzschichtmorphologie die Gr{\"o}ße der Spinaufspaltung in der elektronischen Struktur um ein Vielfaches ver{\"a}ndern k{\"o}nnen. Zudem belegen spinaufgel{\"o}ste Experimente eine invertierte Spinorientierung der elektronischen Zust{\"a}nde in BiCu2 im Vergleich mit dem Referenzsystem Au(111). Beide Resultate k{\"o}nnen durch eine theoretische Analyse des Potentialprofils und der elektronischen Ladungsverteilung senkrecht zu der Grenzfl{\"a}che in Kombination mit einfachen Modellbetrachtungen verstanden werden. Es stellt sich heraus, dass Asymmetrien in der Ladungsverteilung das direkte mikroskopische Bindeglied zwischen der Spinstruktur des elektronischen Systems und den strukturellen und chemischen Parametern der Grenzschicht bilden. Weitergehende ARPES-Experimente zeigen, dass die spinabh{\"a}ngige elektronische Struktur zudem signifikant durch die Symmetrie des Potentials parallel zu der Grenzfl{\"a}chenebene beeinflusst wird. Eine Manipulation der SBK wird in BiCu2 durch die Deposition von Adatomen erreicht. Hierdurch gelingt es, die Spinaufspaltung sowohl zu vergr{\"o}ßern (Na-Adsorption) als auch zu verringern (Xe-Adsorption). ARPES-Experimente an dem tern{\"a}ren Schichtsystem BiAg2/Ag/Au(111) belegen erstmalig eine Kopplung zwischen elektronischen B{\"a}ndern mit entgegengesetztem Spincharakter in einem zweidimensionalen System mit Spinaufspaltung (Interband-Spin-Bahn-Kopplung). Der zugrundeliegende Kopplungsmechanismus steht in bemerkenswerter Analogie zu den Auswirkungen der SBK auf die spinpolarisierte elektronische Struktur in ferromagnetischen Systemen. Variationen in der Schichtdicke des Ag-Substratfilms erlauben es, die St{\"a}rke der Interband-SBK zu manipulieren.}, subject = {Spin-Bahn-Wechselwirkung}, language = {de} } @phdthesis{Klein2009, author = {Klein, Markus}, title = {Starke Korrelationen in Festk{\"o}rpern : von lokalisierten zu itineranten Elektronen}, url = {http://nbn-resolving.de/urn:nbn:de:bvb:20-opus-36459}, school = {Universit{\"a}t W{\"u}rzburg}, year = {2009}, abstract = {In dieser Arbeit wurden mittels winkelaufgel{\"o}ster Photoemission verschiedene Verbindungen mit stark korrelierten Elektronen untersucht. Es wurde gezeigt, dass diese Technik einen direkten Zugang zu den niederenergetischen Wechselwirkungen bietet und dadurch wichtige Informationen {\"u}ber die Vielteilchenphysik dieser Systeme liefert. Die direkte Beobachtung der scharfen Quasiteilchenstrukturen in der N{\"a}he der Fermikante erm{\"o}glichte insbesondere die genaue Betrachtung der folgenden Punkte: 1. Quantenphasen{\"u}bergang: analog zu [27] wurde gezeigt, dass die hochaufgel{\"o}ste PES Zugriff auf die lokale Energieskala TK bietet. Außerdem konnte im Rahmen eines st{\"o}rungstheoretischen Modells allgemein gezeigt werden, wie sich kleine RKKY-St{\"o}rungen auf TK auswirken. Aus der experimentellen Entwicklung von TK(x) in CeCu6-xAux lassen sich mit Hilfe dieses Modells R{\"u}ckschl{\"u}sse auf den Quantenphasen{\"u}bergang bei T = 0 ziehen. 2. Kondogitter: mit Hilfe einer geordneten CePt5/Pt(111)-Oberfl{\"a}chenlegierung wurde demonstriert, dass mit ARPES Kondogittereffekte beobachtet werden k{\"o}nnen. Dazu z{\"a}hlen die Beobachtung von Hybridisierungsbandl{\"u}cken und der starken Renormierung der Bandmassen in der N{\"a}he von EF. Diese Effekte lassen sich, mit Hilfe unterschiedlicher Anregungsenergien und Messungen an einer isostrukturellen LaPt5-Schicht, eindeutig dem Resultat einer d f -Mischung der elektronischen Zust{\"a}nde zuweisen. Anhand von temperaturabh{\"a}ngigenMessungen konnte erstmals der {\"U}bergang von lokalisierten zu koh{\"a}renten Quasiteilchen in einem Kondosystem mittels ARPES beobachtet werden. 3. Phasen{\"u}berg{\"a}nge: bei FeSi und URu2Si2 wurde jeweils gezeigt, dass die ARPES sensitiv f{\"u}r kleinste {\"A}nderungen der elektronischen Struktur in unmittelbarer Umgebung der Fermienergie ist. Es konnten charakteristische Energien und Temperaturen, sowie am Phasen{\"u}bergang beteiligte B{\"a}nder und deren effektive Massen m* quantifiziert werden. Insbesondere wurde gezeigt, dass Heavy-Fermion-B{\"a}nder mit m* = 40 me eine wichtige Rolle beim Hidden-order-Phasen{\"u}bergang in URu2Si2 spielen. 4. Oberfl{\"a}cheneffekte: f{\"u}r alle Proben, außer CeCu6-xAux, musste festgestellt werden, dass Oberfl{\"a}chenzust{\"a}nde betr{\"a}chtliche Anteile am Spektrum besitzen k{\"o}nnen. Daher ist bei jedem Material gr{\"o}ßte Vorsicht bei der Pr{\"a}paration der Oberfl{\"a}che und der Interpretation der Spektren angebracht. Als eine geeignete Methode um Oberfl{\"a}chen und Volumenanteile auseinander zu halten, stellten sich anregungsenergieabh{\"a}ngige Messungen heraus. 5. theoretische Modelle: trotz der Bezeichnung "stark korrelierte Systeme", unterscheiden sich die untersuchten Verbindungen bez{\"u}glich ihrer theoretischen Beschreibung: die Physik der Cersysteme (CeCu6, CePt5/Pt(111)) ist bei T > TK durch lokale St{\"o}rstellen bestimmt und lassen sich somit im Rahmen des SIAM beschreiben. Bei tieferen Temperaturen T < TK treten jedoch Anzeichen von beginnender Koh{\"a}renz auf und geben somit den {\"U}bergang zum PAM wieder. Schwere, dispergierenden B{\"a}nder in URu2Si2 und FeSi zeigen, dass beide Systeme nur mit Hilfe eines geordneten Gitters beschreibbar sind. Insbesondere stellt sich f{\"u}r FeSi heraus, dass eine Erkl{\"a}rung im Kondoisolator-Bild falsch ist und ein Hubbard-Modell-Ansatz angebrachter scheint.}, subject = {Kondo-Effekt}, language = {de} } @misc{Hofmann2001, type = {Master Thesis}, author = {Hofmann, Michael}, title = {Zeitaufgel{\"o}ste Photoemissionsspektroskopie an Au-GaAs Schottky-Kontakten}, url = {http://nbn-resolving.de/urn:nbn:de:bvb:20-opus-27970}, school = {Universit{\"a}t W{\"u}rzburg}, year = {2001}, abstract = {Es wurde die zeitabh{\"a}ngige Relaxation der Elektronenverteilung in einem Metall-Halbleiter (Galliumarsenid-Gold) Kontakt nach Anregung durch einen Femtosekundenlaserpuls untersucht. Der Einfluss von internen Photostr{\"o}men und extern angelegten Spannungen auf die zeitaufgel{\"o}ste Messung der Elektronenverteilung durch ein Flugzeitspektrometer wird bestimmt und simuliert.}, subject = {Photoemission}, language = {de} }