@article{GabelPickemScheidereretal.2022,
  author    = {Gabel, Judith and Pickem, Matthias and Scheiderer, Philipp and Dudy, Lenart and Leikert, Berengar and Fuchs, Marius and St{\"u}binger, Martin and Schmitt, Matthias and K{\"u}spert, Julia and Sangiovanni, Giorgio and Tomczak, Jan M. and Held, Karsten and Lee, Tien-Lin and Claessen, Ralph and Sing, Michael},
  title     = {Toward Functionalized Ultrathin Oxide Films: The Impact of Surface Apical Oxygen},
  series = {Advanced Electronic Materials},
  volume    = {8},
  journal   = {Advanced Electronic Materials},
  number    = {4},
  issn      = {2199-160X},
  doi       = {10.1002/aelm.202101006},
  url       = {http://nbn-resolving.de/urn:nbn:de:bvb:20-opus-318914},
  year      = {2022},
  abstract  = {Thin films of transition metal oxides open up a gateway to nanoscale electronic devices beyond silicon characterized by novel electronic functionalities. While such films are commonly prepared in an oxygen atmosphere, they are typically considered to be ideally terminated with the stoichiometric composition. Using the prototypical correlated metal SrVO\(_{3}\) as an example, it is demonstrated that this idealized description overlooks an essential ingredient: oxygen adsorbing at the surface apical sites. The oxygen adatoms, which are present even if the films are kept in an ultrahigh vacuum environment and not explicitly exposed to air, are shown to severely affect the intrinsic electronic structure of a transition metal oxide film. Their presence leads to the formation of an electronically dead surface layer but also alters the band filling and the electron correlations in the thin films. These findings highlight that it is important to take into account surface apical oxygen or—mutatis mutandis—the specific oxygen configuration imposed by a capping layer to predict the behavior of ultrathin films of transition metal oxides near the single unit-cell limit.},
  language  = {en}
}
@article{MuellerSpriestersbachMinetal.2022,
  author    = {M{\"u}ller, S. and Spriestersbach, F. and Min, C.-H. and Fornari, C. I. and Reinert, F.},
  title     = {Molecular beam epitaxy of TmTe thin films on SrF\(_{2}\) (111)},
  series = {AIP Advances},
  volume    = {12},
  journal   = {AIP Advances},
  number    = {2},
  doi       = {10.1063/5.0083276},
  url       = {http://nbn-resolving.de/urn:nbn:de:bvb:20-opus-300876},
  year      = {2022},
  abstract  = {The odd parity nature of 4f states characterized by strong spin-orbit coupling and electronic correlations has led to a search for novel topological phases among rare earth compounds, such as Kondo systems, heavy Fermions, and homogeneous mixed-valent materials. Our target system is thulium telluride thin films whose bandgap is expected to be tuned as a function of lattice parameter. We systematically investigate the growth conditions of TmxTey thin films on SrF\(_{2}\) (111) substrates by molecular beam epitaxy. The ratio between Te and Tm supply was precisely tuned, resulting in two different crystalline phases, which were confirmed by x-ray diffraction and x-ray photoemission spectroscopy. By investigating the crystalline quality as a function of the substrate temperature, the optimal growth conditions were identified for the desired Tm1Te1 phase. Additional low energy electron diffraction and reflective high energy electron diffraction measurements confirm the epitaxial growth of TmTe layers. X-ray reflectivity measurements demonstrate that homogeneous samples with sharp interfaces can be obtained for varied thicknesses. Our results provide a reliable guidance to prepare homogeneous high-quality TmTe thin films and thus serve as a basis for further electronic investigations.},
  language  = {en}
}
@phdthesis{Dutschke2006,
  author    = {Dutschke, Anke},
  title     = {Charakterisierung von PZT-D{\"u}nnschichten auf Metallsubstraten},
  url       = {http://nbn-resolving.de/urn:nbn:de:bvb:20-opus-26235},
  school      = {Universit{\"a}t W{\"u}rzburg},
  year      = {2006},
  abstract  = {Das Mischkristallsystem PbZrxTi1-xO3 (PZT) geh{\"o}rt durch seine ausgepr{\"a}gten piezo- und ferroelektrischen Eigenschaften zu den meist verwendeten Funktionskeramiken. In Form von D{\"u}nnschichten auf flexiblen Metallsubstraten k{\"o}nnen sie f{\"u}r unterschiedlichste Anwendungen als Tastschalter, Vibrationsd{\"a}mpfer, Mikroaktuator oder Ultraschallwandler eingesetzt werden. Ziel der vorliegenden Arbeit ist es, den Gef{\"u}geaufbau und den Phasenbestand von PZT-Schichten, die in einem mehrstufigen Sol-Gel-Prozeß auf Blechen der s{\"a}ure- und temperaturbest{\"a}ndigen Chrom-Nickel-Legierung Hastelloy abgeschieden worden sind, zu analysieren und mit ihren ferroelektrischen und die-lektrischen Eigenschaften zu korrelieren. Es wird nachgewiesen, daß das Gef{\"u}ge gezielt mittels verschiedener Temperaturbehandlungen und unter-schiedlicher Neodymdotierung variiert werden kann. Durch Nd-Dotierung wird das Maximum der Keimbil-dungsrate zu niedrigeren Temperaturen hin verschoben und die Wachstumsgeschwindigkeit gegen{\"u}ber undotierten Schichten verringert. Die Kristallisation in dotierten und undotierten Schichten ist heterogen und erfolgt bevorzugt an den Grenz- und Oberfl{\"a}chen sowie an den Porenr{\"a}ndern im Innern der Schichten. Die Zusammensetzung der PZT-Sol-Gel-Beschichtungen liegt im Bereich der morphotropen Phasengrenze (x=0,53) zwischen tetragonaler und rhomboedrischer Phase. Erstmals wurde die w{\"a}hrend der Temperatur-behandlung auftretende Gradientenbildung im Zr/Ti-Verh{\"a}ltnis systematisch mit dem Gef{\"u}ge und dem Phasenbestand auf Nanometerskala in Verbindung gesetzt. Hierbei konnte aufgezeigt werden, dass langreichweitige Zr:Ti-Fluktuationen vorrangig w{\"a}hrend der Kri-stallisation der Pyrochlorphase entstehen. Bei der nachfolgenden Perowskitkristallisation wachsen die Kri-stalle {\"u}ber die entmischten Bereiche hinweg, so daß Schwankungen im Zr:Ti-Verh{\"a}ltnis innerhalb der Kristallite erhalten bleiben. Es wird dargelegt, daß die Fluktuationen im Zr:Ti-Verh{\"a}ltnis infolge der starken Spannungen innerhalb der Schicht nur geringe Auswirkungen auf den Verzerrungsgrad der Kristallite und die Zugeh{\"o}rigkeit zur rhomboedrischen oder tetragonalen Perowskitphase haben. Beim {\"U}bergang in den ferroelektrischen Zustand ist das Ausmaß der Gitterverzerrung unabh{\"a}ngig von der Kristallitgr{\"o}ße und in Nd-dotierten Schichten generell geringer als in undotierten Schichten. Es wird die Ausbildung einer Zwischenschicht zwischen Metallsubstrat und PZT-Schicht untersucht, die die resultierenden elektrischen Eigenschaften maßgeblich beeinflußt. Sie wird als Oxidschicht identifiziert, be-stehend aus kristallinem NiO und NiCr2O4, verschiedenen Chromoxiden und Pb2(CrO4)O, die als nicht-ferroelektrisches Dielektrikum die resultierende Dielektrizit{\"a}tskonstante des Substrat-Schichtverbundes stark herabsetzt. Durch Aufbringen einer unterst{\"o}chiometrischen La0,75Sr0,2MnO3 (ULSM) - Elektrodierung vor der PZT-Beschichtung gelingt es, die Kontaktierung zu verbessern, die (001)-Orientierung in undotierten Schichten zu steigern und sehr schmale P-E-Hysteresekurven zu erhalten.},
  subject      = {PZT},
  language  = {de}
}