@phdthesis{Hartmann2008,
  author    = {Hartmann, David},
  title     = {Elektrisches und magnetisches Schalten im nichtlinearen mesoskopischen Transport},
  url       = {http://nbn-resolving.de/urn:nbn:de:bvb:20-opus-29175},
  school      = {Universit{\"a}t W{\"u}rzburg},
  year      = {2008},
  abstract  = {Im Rahmen dieser Arbeit wurden Transporteigenschaften von Nanostrukturen basierend auf modulationsdotierten GaAs/AlGaAs Hetero{\"u}berg{\"a}ngen untersucht. Derartige Heterostrukturen zeichnen sich durch ein hochbewegliches zweidimensionales Elektronengas (2DEG) aus, das sich wenige 10 nm unterhalb der Probenoberfl{\"a}che ausbildet. Mittels Elektronenstrahl-Lithographie und nasschemischer {\"A}tztechnik wurde dieses Ausgangsmaterial strukturiert. Eindimensionale Leiter mit Kanalweiten von wenigen 10 nm wurden auf diese Weise hergestellt. Die Vorz{\"u}ge derartiger Strukturen zeigen sich im ballistischen Elektronentransport {\"u}ber mehrere 10 µm und einer hohen Elektronenbeweglichkeit im Bereich von 10^6cm^2/Vs. Als nanoelektronische Basiselemente wurden eingehend eindimensionale Quantendr{\"a}hte sowie y-f{\"o}rmig verzweigte Strukturen untersucht, deren Kanalleitwert {\"u}ber seitliche Gates kontrolliert werden kann. Dabei wurden die Transportmessungen {\"u}berwiegend im stark nichtlinearen Transportregime bei Temperaturen zwischen 4,2 K und Raumtemperatur durchgef{\"u}hrt. Der Fokus dieser Arbeit lag insbesondere in der Untersuchung von Verst{\"a}rkungseigenschaften und kapazitiven Kopplungen zwischen Nanodr{\"a}hten, der Realisierung von komplexen Logikfunktionen wie Z{\"a}hler- und Volladdiererstrukturen, dem Einsatz von Quantengates sowie der Analyse von rauschaktiviertem Schalten, stochastischen Resonanzph{\"a}nomenen und Magnetfeldasymmetrien des nichtlinearen mesoskopischen Leitwertes.},
  subject      = {Niederdimensionales Elektronengas},
  language  = {de}
}
@phdthesis{Hartmann2012,
  author    = {Hartmann, Fabian},
  title     = {Elektrooptische Transporteigenschaften und stochastisch aktivierte Prozesse Resonanter Tunneldioden},
  url       = {http://nbn-resolving.de/urn:nbn:de:bvb:20-opus-90876},
  school      = {Universit{\"a}t W{\"u}rzburg},
  year      = {2012},
  abstract  = {Im Rahmen der vorliegenden Arbeit wurden elektrooptische Transporteigenschaften und stochastisch aktivierte Prozesse Resonanter Tunneldioden (RTDs) bei Raumtemperatur untersucht. Die RTDs wurden auf dem III-V Halbleitermaterialsystem AlGaAs/GaAs durch Molekularstrahlepitaxie, Elektronenstrahllithographie und trockenchemischen {\"A}tztechniken hergestellt. Im Bereich des negativen differentiellen Leitwerts konnte bistabi-les Schalten und hierbei stochastisch aktivierte Dynamik nichtlinearer Systeme untersucht werden. Die Fl{\"a}chenabh{\"a}ngigkeit der {\"A}tzrate konnte ausgenutzt werden, um RTDs mit einem Stamm und zwei Transport{\"a}sten zu realisieren, welche hinsichtlich ihrer optischen und elektrischen Eigenschaften untersucht wurden. Im ersten experimentellen Abschnitt 3.1 werden die elektrischen Transporteigenschaften Resonanter Tunneldioden bei Raum-temperatur und die Fl{\"a}chenabh{\"a}ngigkeit des koh{\"a}renten und nicht-koh{\"a}renten Elektronen-transports analysiert. Die Realisierung universeller logischer Gatter (NOR und NAND) und deren Rekonfigurierbarkeit durch einen externen Kontrollparameter wird in Abschnitt 3.2 gezeigt. In Abschnitt 3.3 wird die Lichtsensitivit{\"a}t Resonanter Tunneldioden als Photode-tektoren f{\"u}r den sichtbaren Wellenl{\"a}ngenbereich und in Abschnitt 3.4 f{\"u}r die Telekommu-nikationswellenl{\"a}nge bei λ = 1,3 µm demonstriert.},
  subject      = {Resonanz-Tunneldiode},
  language  = {de}
}
@phdthesis{Fecher2002,
  author    = {Fecher, Frank Erich},
  title     = {Nichtlineare Dynamik von chemischen Sauerstoff-Oszillatoren},
  url       = {http://nbn-resolving.de/urn:nbn:de:bvb:20-opus-185},
  school      = {Universit{\"a}t W{\"u}rzburg},
  year      = {2002},
  abstract  = {Die vorliegende Arbeit hat zum Ziel, das Antwortverhalten nichtlinearer Reaktionen auf zielgerichtete St{\"o}rungen zu untersuchen. Dabei besch{\"a}ftigt sie sich mit zwei nichtlinearen chemischen Sauerstoff-Oszillatoren. Bei den beiden nichtlinearen chemischen Reaktionen handelt es sich um den Polyacrylamid-Methylenblau-Sauerstoff- (PA-MBO) Oszillator und um die Kupfer(II)ionen katalysierte Oxidation von Ascorbins{\"a}ure durch Luftsauerstoff. Im ersten Fall wird durch selektive Belichtung des Reaktionsmediums die gebildete Geloberfl{\"a}che durch ein computergenerirtes Muster kodiert. Die Systemantwort wird mit Hilfe einer CCD-Kamera aufgenommen und danach einer Analyse unterzogen. Die erhaltenen Ergebnisse werden anschließend durch eine Computersimulation verifiziert. Die zweite untersuchte M{\"o}glichkeit, das PA-MBO-System einer St{\"o}rung zu unterwerfen, ist das Anlegen eines externen elektrischen Feldes. In einer speziell daf{\"u}r entworfenen Anordnung bildet sich ein quasi-eindimensionales Turing-Muster. In dieser quasi-eindimensionalen Anordnung kann die Reaktion leicht elektrischen Str{\"o}men von bis zu 200 mA/cm2 ausgesetzt werden. Die experimentellen Daten werden anschließend der Karhunen-Loeve Zerlegung unterworfen, um die komplexe Dynamik der Systemantwort zu studieren. Die Oxidation von Ascorbins{\"a}ure durch Luftsauerstoff in Gegenwart von Kupfer(II)ionen, wird im CSTR durchgef{\"u}hrt. Dabei l{\"a}ßt sich das Ph{\"a}nomen der stochastischen Resonanz beobachten, wenn man die Flußrate sinusf{\"o}rmig moduliert und dieser Frequenz zus{\"a}tzlich weißes Rauschen {\"u}berlagert.},
  subject      = {Sauerstoff},
  language  = {de}
}