@phdthesis{Berner2015, author = {Berner, G{\"o}tz}, title = {Funktionelle oxidische Heterostrukturen aus dem Blickwinkel der Spektroskopie}, url = {http://nbn-resolving.de/urn:nbn:de:bvb:20-opus-121721}, school = {Universit{\"a}t W{\"u}rzburg}, year = {2015}, abstract = {In oxidischen Heterostrukturen rufen Neuordnung von Ladung und Spin eine Vielzahl von unerwarteten physikalischen Eigenschaften hervor. Die M{\"o}glichkeit, Leitf{\"a}higkeit, Magnetismus oder auch Hochtemperatur-Supraleitung zu kontrollieren, machen diese k{\"u}nstlich hergestellten Materialien vor allem in Hinblick auf eine zuk{\"u}nftige Anwendung in der Mikroelektronik {\"a}ußerst interessant. Dies erfordert jedoch ein grunds{\"a}tzliches Verst{\"a}ndnis f{\"u}r die zugrunde liegenden Mechanismen. Die vorliegende Doktorarbeit befasst sich mit photonengest{\"u}tzter Spektroskopie, die einen direkten Zugang zur elektronischen Struktur dieser Heterostruktursysteme erm{\"o}glicht. Ein weiteres Ziel ist es, geeignete spektroskopische Methoden zur Charakterisierung der vergrabenen Schichten zu etablieren. Zwei prototypische oxidische Mehrschichtsysteme stehen im Zentrum der hier vorgestellten Untersuchungen. Das LaAlO3/SrTiO3-Heterostruktursystem weist ab einer kritischen LaAlO3-Filmdicke an der Grenzfl{\"a}che ein zweidimensionales Elektronensystem mit hochmobilen Ladungstr{\"a}gern auf. Als treibender Mechanismus wird die elektronische Rekonstruktion diskutiert. Im Rahmen dieser Arbeit wurde dieses zweidimensionale Elektronensystem mithilfe der Photoelektronenspektroskopie und der resonanten inelastischen R{\"o}ntgenstreuung charakterisiert. Die daraus bestimmten Ladungstr{\"a}gerdichten weisen im Vergleich mit Daten aus Transportmessungen auf eine Koexistenz von lokalisierten und mobilen Ladungstr{\"a}gern an der Grenzfl{\"a}che hin. Die Analyse von Rumpfniveau- und Valenzbandspektren zeigt, dass man zur Erkl{\"a}rung der experimentellen Resultate ein modifiziertes Bild der elektronischen Rekonstruktion ben{\"o}tigt, bei der Sauerstofffehlstellen an der LaAlO3-Oberfl{\"a}che als Ladungsreservoir dienen k{\"o}nnten. Mithilfe der resonanten Photoelektronenspektroskopie war es m{\"o}glich, die metallischen Zust{\"a}nde am chemischen Potential impulsaufgel{\"o}st zu spektroskopieren. So gelang es erstmals, die vergrabene Fermi-Fl{\"a}che einer oxidischen Heterostruktur zu vermessen. Außerdem konnten Titan-artige Zust{\"a}nde identifiziert werden, die h{\"o}chstwahrscheinlich durch Sauerstofffehlstellen im SrTiO3 lokalisiert sind. Diese werden als m{\"o}gliche Quelle f{\"u}r den Ferromagnetismus interpretiert, der mit der supraleitenden Phase in der LaAlO3/SrTiO3-Heterostruktur koexistiert. Bei dem anderen hier untersuchten Mehrschichtsystem handelt es sich um die LaNiO3-LaAlO3-{\"U}bergitterstruktur. Der Einbau des metallischen LaNiO3 in eine Heterostruktur ist aufgrund seiner N{\"a}he zu einer korrelationsinduzierten isolierenden Phase hinsichtlich einer kontrollierten Ausbildung von neuartigen Phasen besonders interessant. In der Tat beobachtet man unterhalb einer LaNiO3-Schichtdicke von vier Einheitszellen einen kontinuierlichen Metall-Isolator-{\"U}bergang, der sich in den Valenzbandspektren durch einen Verlust an Quasiteilchenkoh{\"a}renz {\"a}ußert. Auch wenn die impulsaufgel{\"o}sten Daten am Fermi-Niveau durch Photoelektronenbeugung beeinflusst sind, so l{\"a}sst sich dennoch eine Fermi-Fl{\"a}che identifizieren. Ihre Topologie bietet die M{\"o}glichkeit eines Fermi-Fl{\"a}chen-Nestings mit der Ausbildung einer Spindichtewelle. Die Resultate unterst{\"u}tzen die Hinweise auf eine magnetische Ordnung im zweidimensionalen Grundzustand.}, subject = {Heterostruktur}, language = {de} } @phdthesis{Latussek2005, author = {Latussek, Volker}, title = {Elektronische Zust{\"a}nde in Typ-III-Halbleiterheterostrukturen}, url = {http://nbn-resolving.de/urn:nbn:de:bvb:20-opus-15055}, school = {Universit{\"a}t W{\"u}rzburg}, year = {2005}, abstract = {Seit 1988 werden mit dem Verfahren der Molekularstrahlepitaxie (MBE: Molecular Beam Epitaxy) am Physikalischen Institut der Universit{\"a}t W{\"u}rzburg Halbleiterheterostrukturen aus dem Halbleitermaterialsystem Hg(1-x)Cd(x)Te hergestellt. Diese quecksilberhaltige Legierung ist ein II-VI-Verbindungshalbleiter und zeichnet sich durch eine legierungs- und temperaturabh{\"a}ngige fundamentale Energiel{\"u}cke aus. Die Bandstruktur ist je nach Temperatur und Legierungsfaktor x einerseits halbleitend, anderseits aber halbmetallisch. Die schmall{\"u}ckigen Hg(1-x)Cd(x)Te-Legierungen werden als Infrarotdetektoren eingesetzt. Mit dem Verfahren der Molekularstrahlepitaxie ist es m{\"o}glich Bandstrukturen mit spezifischen Eigenschaften herzustellen (band structure engineering). Unter diesen neuen Materialien stellen die Typ-III-{\"U}bergitter eine besondere Klasse dar. Bei diesen zweidimensionalen Materialstrukturen wird eine nur wenige Atomlagen dicke Schicht von 30 °A bis 100 °A aus dem Halbmetall HgTe, dem Trogmaterial, in eine Legierung aus Hg(1-x)Cd(x)Te, dem Barrierenmaterial, eingebettet und zu einem {\"U}bergitter aufgebaut. Zweidimensionale Typ-III-Halbleiterheterostrukturen, wie die HgTe-Hg(1-x)Cd(x)Te-Quantentrogstrukturen und HgTe-Hg(1-x)Cd(x)Te-{\"U}bergitter, sind von fundamentalen Interesse zum Verst{\"a}ndnis von elektronischen Zust{\"a}nden komplexer Bandstrukturen und zweidimensionaler Ladungstr{\"a}gersysteme. Dar{\"u}ber hinaus werden HgTe-Hg(1-x)Cd(x)Te-{\"U}bergitter in der Sensorik als Infrarotdektoren eingesetzt, deren cut-off-Wellenl{\"a}nge prozessgesteuert in der Molekularstrahlepitaxie {\"u}ber die Trogbreite, der Schichtdicke des HgTe, eingestellt werden kann. Je nach verwendeten Barrierenmaterial Hg(1-x)Cd(x)Te und Temperatur besitzen die {\"U}bergitterstrukturen mit großen Barrierenschichtdicken, das sind die Quantentrogstrukturen, in Abh{\"a}ngigkeit von der Trogbreite, f{\"u}r niedrige Trogbreiten eine normal halbleitende Subbandstruktur, w{\"a}hrend sich f{\"u}r gr{\"o}ßere Trogbreiten eine invertiert halbleitende Subbandstruktur einstellt. In der invertiert halbleitenden Subbandstruktur ist ein indirekter Halbleiter realisierbar. Bei Strukturen mit d{\"u}nnen Barrierenschichtdicken ist die Minibanddispersion stark ausgepr{\"a}gt und es kann sich zus{\"a}tzlich eine halbmetallische Subbandstruktur ausbilden. Diese speziellen Eigenschaften sind einzigartig und kennzeichnen die komplexe Bandstruktur von Typ-III-Heterostrukturen. Erst die genaue Kenntnis und ein vertieftes Verst{\"a}ndnis der komplexen Bandstruktur erlaubt die Interpretation von Ergebnissen aus (magneto)-optischen Untersuchungen der elektronischen Eigenschaften von Typ-III-Halbleiterheterostrukturen. Die Berechnung der elektronischen Zust{\"a}nde in den HgTe-Hg(1-x)Cd(x)Te-{\"U}bergitter wurde in der vorliegenden Arbeit in der Envelopefunktionsn{\"a}herung durchgef{\"u}hrt. Seit drei Jahrzehnten wird die Envelopefunktionenn¨aherung (EFA: Envelope Function Approximation) sehr erfolgreich bei der Interpretation der experimentellen Ergebnisse von (magneto)- optischen Untersuchungen an Halbleiterheterostrukturen eingesetzt. Der Erfolg basiert auf der effektiven Beschreibung der quantisierten, elektronischen Zust{\"a}nde an Halbleitergrenzfl{\"a}chen, in Quantentr{\"o}gen und {\"U}bergittern und der Einzigartigkeit, zur Berechnung der experimentellen Ergebnisse, die Abh{\"a}ngigkeit von {\"a}ußeren Parametern, wie der Temperatur und des hydrostatischen Druckes, aber auch eines elektrischen und magnetischen Feldes, wie auch von freien Ladungstr{\"a}gern, ein zu arbeiten. Die sehr gute quantitative {\"U}bereinstimmung der theoretischen Berechnungen in der Envelopefunktionenn{\"a}herung und vieler experimenteller Messergebnisse an Halbleiterheterostrukturen baut auf der quantitativen Bestimmung der relevanten Bandstrukturparameter in der k·p-St{\"o}rungstheorie zur Beschreibung der elektronischen Eigenschaften der beteiligten Volumenhalbleiter auf. In Kapitel 1 der vorliegenden Arbeit wird daher zun{\"a}chst das Bandstrukturmodell des Volumenmaterials Hg(1-x)Cd(x)Te vorgestellt und daraus die Eigenwertgleichung des Hamilton-Operators in der Envelopefunktionenn¨aherung abgeleitet. Danach wird das L¨osungsverfahren, die Matrixmethode, zur Berechnung der Eigenwerte und Eigenfunktionen beschrieben und auf die Berechnung der elektronischen Subbandzust{\"a}nde der Typ-III-Hg(1-x)Cd(x)Te-{\"U}bergitter angewendet. Es folgt eine Diskussion der grundlegenden Eigenschaften der komplexen Bandstruktur in den verschiedenen Regimen der Typ-III-Halbleiterheterostrukturen und der charakteristischen Wellenfunktionen, den Grenzfl{\"a}chenzust{\"a}nden. An Ende dieses Kapitels wird die Berechnung des Absorptionskoeffizienten hergeleitet und die grundlegenden Eigenschaften der Diplomatrixelemente zur Charakterisierung der optischen Eigenschaften von HgTe-Hg(1-x)Cd(x)Te-{\"U}bergitter exemplarisch vorgestellt. In Kapitel 2 sind die wesentlichen Ergebnisse aus dem Vergleich von Infrarotabsorptionsmessungen an HgTe-Hg(1-x)Cd(x)Te-{\"U}bergitter mit den berechneten Absorptionskoeffizienten zusammengestellt.}, subject = {Quecksilbertellurid}, language = {de} }