@phdthesis{Miller2024, author = {Miller, Kirill}, title = {Untersuchung von Nanostrukturen basierend auf LaAlO\(_3\)/SrTiO\(_3\) f{\"u}r Anwendungen in nicht von-Neumann-Rechnerarchitekturen}, doi = {10.25972/OPUS-35472}, url = {http://nbn-resolving.de/urn:nbn:de:bvb:20-opus-354724}, school = {Universit{\"a}t W{\"u}rzburg}, year = {2024}, abstract = {Die Dissertation besch{\"a}ftigt sich mit der Analyse von oxidischen Nanostrukturen. Die Grundlage der Bauelemente stellt dabei die LaAlO3/SrTiO3-Heterostruktur dar. Hierbei entsteht an der Grenzfl{\"a}che beider {\"U}bergangsmetalloxide ein quasi zweidimensionales Elektronengas, welches wiederum eine F{\"u}lle von beachtlichen Eigenschaften und Charakteristika zeigt. Mithilfe lithographischer Verfahren wurden zwei unterschiedliche Bauelemente verwirklicht. Dabei handelt es sich einerseits um einen planaren Nanodraht mit lateralen Gates, welcher auf der Probenoberfl{\"a}che prozessiert wurde und eine bemerkenswerte Trialit{\"a}t aufweist. Dieses Bauelement kann unter anderem als ein herk{\"o}mmlicher Feldeffekttransistor agieren, wobei der Ladungstransport durch die lateral angelegte Spannung manipuliert wird. Zus{\"a}tzlich konnten auch Speichereigenschaften beobachtet werden, sodass das gesamte Bauelement als ein sogenannter Memristor fungieren kann. In diesem Fall h{\"a}ngt der Ladungstransport von der Elektronenakkumulation auf den lateralen potentialfreien Gates ab. Die Memristanz des Nanodrahts l{\"a}sst sich unter anderem durch Lichtleistungen im Nanowattbereich und mithilfe von kurzen Spannungspulsen ver{\"a}ndern. Dar{\"u}ber hinaus kann die Elektronenakkumulation auch in Form einer memkapazitiven Charakteristik beobachtet werden. Neben dem Nanodraht wurde auch eine Kreuzstruktur, die eine erg{\"a}nzende ferromagnetischen Elektrode beinhaltet, realisiert. Mit diesem neuartigen Bauteil wird die Umwandlung zwischen Spin- und Ladungsstr{\"o}men innerhalb der nanoskaligen Struktur untersucht. Hierbei wird die starke Spin-Bahn-Kopplung im quasi zweidimensionalen Elektronengas ausgenutzt.}, subject = {Memristor}, language = {de} } @phdthesis{Maier2018, author = {Maier, Patrick}, title = {Memristanz und Memkapazit{\"a}t von Quantenpunkt-Speichertransistoren: Realisierung neuromorpher und arithmetischer Operationen}, url = {http://nbn-resolving.de/urn:nbn:de:bvb:20-opus-164234}, school = {Universit{\"a}t W{\"u}rzburg}, year = {2018}, abstract = {In dieser Arbeit werden Quantenpunkt-Speichertransistoren basierend auf modulationsdotierten GaAs/AlGaAs Heterostrukturen mit vorpositionierten InAs Quantenpunkten vorgestellt, welche in Abh{\"a}ngigkeit der Ladung auf den Quantenpunkten unterschiedliche Widerst{\"a}nde und Kapazit{\"a}ten aufweisen. Diese Ladungsabh{\"a}ngigkeiten f{\"u}hren beim Anlegen von periodischen Spannungen zu charakteristischen, durch den Ursprung gehenden Hysteresen in der Strom-Spannungs- und der Ladungs-Spannungs-Kennlinie. Die ladungsabh{\"a}ngigen Widerst{\"a}nde und Kapazit{\"a}ten erm{\"o}glichen die Realisierung von neuromorphen Operationen durch Nachahmung von synaptischen Funktionalit{\"a}ten und arithmetischen Operationen durch Integration von Spannungs- und Lichtpulsen.}, subject = {Nichtfl{\"u}chtiger Speicher}, language = {de} } @phdthesis{BrandensteinKoeth2010, author = {Brandenstein-K{\"o}th, Bettina}, title = {Nichtlinearer Magnetotransport und memristive Funktionen von nanoelektronischen Bauteilen}, url = {http://nbn-resolving.de/urn:nbn:de:bvb:20-opus-53643}, school = {Universit{\"a}t W{\"u}rzburg}, year = {2010}, abstract = {Gegenstand dieser Arbeit sind Transportuntersuchungen an nanoelektronischen Bauelementen, wobei der Schwerpunkt in der Analyse von nichtlinearen Transporteigenschaften hybrider Strukturen stand. Zum Einsatz kamen auf GaAs basierende Heterostrukturen mit zum Beispiel kleinen Metallkontakten, die zu Symmetriebrechungen f{\"u}hren. Die Untersuchungen wurden bei tiefen Temperaturen bis hin zu Raumtemperatur durchgef{\"u}hrt. Es kamen zudem magnetische Felder zum Einsatz. So wurden zum einen der asymmetrische Magnetotransport in Nanostrukturen mit asymmetrischer Gateanordnung unter besonderer Ber{\"u}cksichtigung der Phononstreuung analysiert, zum anderen konnte ein memristiver Effekt in InAs basierenden Strukturen studiert werden. Des Weiteren konnte ein beachtlicher Magnetowiderstand in miniaturisierten CrAu-GaAs Bauelementen beobachtet werden, der das Potential besitzt, als Basis f{\"u}r extrem miniaturisierte Sensoren f{\"u}r den Betrieb bei Raumtemperatur eingesetzt zu werden.}, subject = {Magnetowiderstand}, language = {de} }