@article{ChenariSeibelHauschildetal.2016,
  author    = {Chenari, Hossein Mahmoudi and Seibel, Christoph and Hauschild, Dirk and Reinert, Friedrich and Abdollahian, Hossein},
  title     = {Titanium Dioxide Nanoparticles: Synthesis, X-Ray Line Analysis and Chemical Composition Study},
  series = {Materials Research},
  volume    = {19},
  journal   = {Materials Research},
  number    = {6},
  doi       = {10.1590/1980-5373-MR-2016-0288},
  url       = {http://nbn-resolving.de/urn:nbn:de:bvb:20-opus-165807},
  pages     = {1319-1323},
  year      = {2016},
  abstract  = {TiO2 nanoparticleshave been synthesized by the sol-gel method using titanium alkoxide and isopropanolas a precursor. The structural properties and chemical composition of the TiO2 nanoparticles were studied usingX-ray diffraction, scanning electron microscopy, and X-ray photoelectron spectroscopy.The X-ray powder diffraction pattern confirms that the particles are mainly composed of the anatase phase with the preferential orientation along [101] direction. The physical parameters such as strain, stress and energy density were investigated from the Williamson- Hall (W-H) plot assuming a uniform deformation model (UDM), and uniform deformation energy density model (UDEDM). The W-H analysis shows an anisotropic nature of the strain in nanopowders. The scanning electron microscopy image shows clear TiO2 nanoparticles with particle sizes varying from 60 to 80nm. The results of mean particle size of TiO2 nanoparticles show an inter correlation with the W-H analysis and SEM results. Our X-ray photoelectron spectroscopy spectra show that nearly a complete amount of titanium has reacted to TiO2},
  language  = {en}
}
@article{MaassBentmannSeibeletal.2016,
  author    = {Maaß, Henriette and Bentmann, Hendrik and Seibel, Christoph and Tusche, Christian and Eremeev, Sergey V. and Peixoto, Thiago R.F. and Tereshchenko, Oleg E. and Kokh, Konstantin A. and Chulkov, Evgueni V. and Kirschner, J{\"u}rgen and Reinert, Friedrich},
  title     = {Spin-texture inversion in the giant Rashba semiconductor BiTeI},
  series = {Nature Communications},
  volume    = {7},
  journal   = {Nature Communications},
  doi       = {10.1038/ncomms11621},
  url       = {http://nbn-resolving.de/urn:nbn:de:bvb:20-opus-173769},
  year      = {2016},
  abstract  = {Semiconductors with strong spin-orbit interaction as the underlying mechanism for the generation of spin-polarized electrons are showing potential for applications in spintronic devices. Unveiling the full spin texture in momentum space for such materials and its relation to the microscopic structure of the electronic wave functions is experimentally challenging and yet essential for exploiting spin-orbit effects for spin manipulation. Here we employ a state-of-the-art photoelectron momentum microscope with a multichannel spin filter to directly image the spin texture of the layered polar semiconductor BiTeI within the full two-dimensional momentum plane. Our experimental results, supported by relativistic ab initio calculations, demonstrate that the valence and conduction band electrons in BiTeI have spin textures of opposite chirality and of pronounced orbital dependence beyond the standard Rashba model, the latter giving rise to strong optical selection-rule effects on the photoelectron spin polarization. These observations open avenues for spin-texture manipulation by atomic-layer and charge carrier control in polar semiconductors.},
  language  = {en}
}
@phdthesis{Seibel2016,
  author    = {Seibel, Christoph},
  title     = {Elektronische Struktur von Halbleiteroberfl{\"a}chen mit starker Spin-Bahn-Wechselwirkung: Topologie, Spinpolarisation und Robustheit},
  url       = {http://nbn-resolving.de/urn:nbn:de:bvb:20-opus-140418},
  school      = {Universit{\"a}t W{\"u}rzburg},
  year      = {2016},
  abstract  = {Neue Erkenntnisse {\"u}ber elektronische Eigenschaften von Festk{\"o}rpern legen den Grundstein f{\"u}r innovative Anwendungen der Zukunft. Von zentraler Bedeutung sind insbesondere die Eigenschaften der Elektronenspins. Um diese besser zu verstehen, befasst sich die vorliegende Arbeit mit der experimentellen Analyse der elektronischen Struktur von topologischen Isolatoren (Sb\$_2\$Te\$_3\$ , Bi\$_2\$Se\$_x\$Te\$_{3-x}\$, Bi\$_{1.5}\$Sb\$_{0.5}\$Te\$_{1.8}\$Se\$_{1.2} und Bi\$_{1.4}\$Sb\$_{1.1}\$Te\$_{2.2}\$S\$_{0.3}\$) und Kristallen mit starker Spin-Bahn-Wechselwirkung (BiTeI) mittels Photoelektronenspektroskopie. Zu Beginn werden die zum Verst{\"a}ndnis dieser Arbeit ben{\"o}tigten Grundlagen erkl{\"a}rt sowie die unterschiedlichen zum Einsatz kommenden Techniken eingef{\"u}hrt. Der Hauptteil der Arbeit teilt sich in drei Forschungsschwerpunkte. Der erste Teil befasst sich mit den elektronischen Eigenschaften der Valenzbandstruktur von Sb2Te3 und den auftretenden Oberfl{\"a}chenzust{\"a}nden. Durch gezielte Variation der Energie der anregenden Strahlung wird der Charakter der Wellenfunktion des topologischen Oberfl{\"a}chenzustands und dessen Wechselwirkung mit Valenzzust{\"a}nden erforscht. Dabei spielt die Topologie der Volumenbandstruktur eine grundlegende Rolle. Der zus{\"a}tzliche Vergleich zu Photoemissionsrechnungen erm{\"o}glicht detaillierte Einblicke in die Wechselwirkung zwischen Oberfl{\"a}chen- und Volumenzust{\"a}nden und gibt Aufschluss dar{\"u}ber, wie diese vermittelt werden. Im zweiten Abschnitt wird durch die Analyse des gemessenen Photoelektronenspins das Zusammenspiel der Spintextur des Grundzustands und Endzust{\"a}nden in Bi2Te3 untersucht. Dabei treten, im Gegensatz zu Grundzustandsrechnungen, Radialkomponenten des Polarisationsvektors in nichtsymmetrischer Messgeometrie auf. Sowohl deren Energieabh{\"a}ngigkeit als auch deren Auftreten in Photoemissionsrechnungen (1-Schritt-Modell) deutet darauf hin, dass diese ihren Ursprung in {\"U}bergangsmatrixelementen des Photoemissionsprozesses haben. Dieses Ergebnis wird mit Spinpolarisationsmessungen am Oberfl{\"a}chenzustand des nicht-topologischen Schichtsystems BiTeI verglichen. Im dritten Teil werden Auswirkungen unterschiedlicher Manipulationen der untersuchten Materialien auf deren elektronische Eigenschaften beschrieben. Die Adsorption von Bruchteilen einer monoatomaren Lage des Alkalimetalls Caesium auf die Oberfl{\"a}che des topologischen Isolators Sb2Te3 wird systematisch untersucht. Dadurch kann dessen intrinsische p-Dotierung teilweise abgebaut werden, wobei die Valenzbandstruktur trotz der Reaktivit{\"a}t des Adsorbats intakt bleibt. Des Weiteren werden Auswirkungen von {\"A}nderungen der Kristallst{\"o}chiometrie durch Volumendotierung vergleichend diskutiert. Ausblickend befasst sich das Kapitel mit dem Verhalten geringer Mengen ferromagnetischer Materialen (Fe, Ni) auf den Oberfl{\"a}chen der topologischen Isolatoren. F{\"u}r die verschiedenen Adsorbate werden Trends aufgezeigt, die von Temperatur und Zusammensetzung des Substratkristalls abh{\"a}ngen.},
  subject      = {Elektronenstruktur},
  language  = {de}
}
@article{FiedlerElKarehEremeevetal.2014,
  author    = {Fiedler, Sebastian and El-Kareh, Lydia and Eremeev, Sergey V. and Tereshchenko, Oleg E. and Seibel, Christoph and Lutz, Peter and Kokh, Konstantin A. and Chulkov, Evgueni V. and Kuznetsova, Tatyana V. and Grebennikov, Vladimir I. and Bentmann, Hendrik and Bode, Matthias and Reinert, Friedrich},
  title     = {Defect and structural imperfection effects on the electronic properties of BiTeI surfaces},
  series = {New Journal of Physics},
  volume    = {16},
  journal   = {New Journal of Physics},
  number    = {075013},
  issn      = {1367-2630},
  doi       = {10.1088/1367-2630/16/7/075013},
  url       = {http://nbn-resolving.de/urn:nbn:de:bvb:20-opus-119467},
  year      = {2014},
  abstract  = {The surface electronic structure of the narrow-gap seminconductor BiTeI exhibits a large Rashba-splitting which strongly depends on the surface termination. Here we report on a detailed investigation of the surface morphology and electronic properties of cleaved BiTeI single crystals by scanning tunneling microscopy, photoelectron spectroscopy (ARPES, XPS), electron diffraction (SPA-LEED) and density functional theory calculations. Our measurements confirm a previously reported coexistence of Te- and I-terminated surface areas originating from bulk stacking faults and find a characteristic length scale of ~100 nm for these areas. We show that the two terminations exhibit distinct types of atomic defects in the surface and subsurface layers. For electronic states resided on the I terminations we observe an energy shift depending on the time after cleavage. This aging effect is successfully mimicked by depositon of Cs adatoms found to accumulate on top of the I terminations. As shown theoretically on a microscopic scale, this preferential adsorbing behaviour results from considerably different energetics and surface diffusion lengths at the two terminations. Our investigations provide insight into the importance of structural imperfections as well as intrinsic and extrinsic defects on the electronic properties of BiTeI surfaces and their temporal stability.},
  language  = {en}
}