@phdthesis{Hartmann2012,
  author    = {Hartmann, Fabian},
  title     = {Elektrooptische Transporteigenschaften und stochastisch aktivierte Prozesse Resonanter Tunneldioden},
  url       = {http://nbn-resolving.de/urn:nbn:de:bvb:20-opus-90876},
  school      = {Universit{\"a}t W{\"u}rzburg},
  year      = {2012},
  abstract  = {Im Rahmen der vorliegenden Arbeit wurden elektrooptische Transporteigenschaften und stochastisch aktivierte Prozesse Resonanter Tunneldioden (RTDs) bei Raumtemperatur untersucht. Die RTDs wurden auf dem III-V Halbleitermaterialsystem AlGaAs/GaAs durch Molekularstrahlepitaxie, Elektronenstrahllithographie und trockenchemischen {\"A}tztechniken hergestellt. Im Bereich des negativen differentiellen Leitwerts konnte bistabi-les Schalten und hierbei stochastisch aktivierte Dynamik nichtlinearer Systeme untersucht werden. Die Fl{\"a}chenabh{\"a}ngigkeit der {\"A}tzrate konnte ausgenutzt werden, um RTDs mit einem Stamm und zwei Transport{\"a}sten zu realisieren, welche hinsichtlich ihrer optischen und elektrischen Eigenschaften untersucht wurden. Im ersten experimentellen Abschnitt 3.1 werden die elektrischen Transporteigenschaften Resonanter Tunneldioden bei Raum-temperatur und die Fl{\"a}chenabh{\"a}ngigkeit des koh{\"a}renten und nicht-koh{\"a}renten Elektronen-transports analysiert. Die Realisierung universeller logischer Gatter (NOR und NAND) und deren Rekonfigurierbarkeit durch einen externen Kontrollparameter wird in Abschnitt 3.2 gezeigt. In Abschnitt 3.3 wird die Lichtsensitivit{\"a}t Resonanter Tunneldioden als Photode-tektoren f{\"u}r den sichtbaren Wellenl{\"a}ngenbereich und in Abschnitt 3.4 f{\"u}r die Telekommu-nikationswellenl{\"a}nge bei λ = 1,3 µm demonstriert.},
  subject      = {Resonanz-Tunneldiode},
  language  = {de}
}