@phdthesis{Pollinger2008,
  author    = {Pollinger, Florian},
  title     = {Surface stress and large-scale self-organization at organic-metal interfaces},
  url       = {http://nbn-resolving.de/urn:nbn:de:bvb:20-opus-33310},
  school      = {Universit{\"a}t W{\"u}rzburg},
  year      = {2008},
  abstract  = {Anhand von Modellsystemen wurde in dieser Arbeit die Bedeutung elastischer Wechselwirkungen an Organik-Metall Grenzfl{\"a}chen, insbesondere f{\"u}r die Selbstorganisierte Ausbildung periodisch facettierter Strukturen, untersucht. Die {\"A}nderung der Oberfl{\"a}chenspannung w{\"a}hrend der Ausbildung der Grenzfl{\"a}che zwischen 3,4,9,10-Perylentetracarbons{\"a}uredianhydrid (PTCDA) und Ag(111) wurde mit der Biegekristalltechnik gemessen. Es ist bekannt, dass dieses System durch eine chemisorptive Bindung bestimmt wird. In der Tat stimmen Vorzeichen und Bedeckungsabh{\"a}ngigkeit mit Vorhersagen und Experimenten aus der Literatur zu chemisorptiv bestimmten Grenzfl{\"a}chen {\"u}berein. W{\"a}hrend der Einbau von Molek{\"u}len in große Dom{\"a}nen die Oberfl{\"a}chenspannung verringert, f{\"u}hrt das Auftreten von fehlerhaften Dom{\"a}nengrenzen zu einer Erh{\"o}hung der Oberfl{\"a}chenspannung. Die absolute {\"A}nderung der Oberfl{\"a}chenspannung in der H{\"o}he von (0.30 +- 0.10) N/m ist in der relativ schwachen Wechselwirkung des PTCDA Molek{\"u}ls mit einem einzelnen Silberatom begr{\"u}ndet. Es soll jedoch betont werden, dass dieser Wert einer Oberfl{\"a}chenspannungs{\"a}nderung von (2.2 +- 0.2) eV pro Molek{\"u}l entspricht, die damit in derselben Gr{\"o}ßenordnung wie die vermutete Bindungsenergie des Systems liegt. Daher zeigen diese Experimente, dass elastische Wechselwirkungen eine nicht zu vernachl{\"a}ssigende Rolle in dieser ganzen Materialklasse spielen k{\"o}nnen. Dadurch tragen die Experimente eine neue Sichtweise zum Verst{\"a}ndnis dieser Grenzfl{\"a}chen bei. Ferner etablieren sie die Biegekristalltechnik auf dem ganzen Feld der Organik-Metall Grenzfl{\"a}chen, da die Ergebnisse in Einklang mit den wohlbekannten Eigenschaften des Systems liegen. Schon der Nachweis einer Durchbiegung der Probe ist speziell f{\"u}r die Grenzfl{\"a}che PTCDA/Ag(111) von Bedeutung. Dieser Effekt ist der erste experimentelle Nachweis einer strukturellen {\"A}nderung in den obersten Substratatomlagen w{\"a}hrend der Adsorption von PTCDA auf Ag(111). Da eine solche Modifikation nicht zu vernachl{\"a}ssigende Konsequenzen f{\"u}r die Interpretation anderer experimenteller Ergebnisse hat, erscheinen weitere Studien mit anderen, quantitativeren strukturellen Methoden notwendig. Der Schwerpunkt dieser Arbeit lag jedoch auf der Untersuchung der Ausbildung der langreichweitigen, selbstorganisierten Ordnung der facettierten PTCDA/Ag(10 8 7) Grenzfl{\"a}che. Der reziproke Raum dieser Grenzfl{\"a}che wurde sowohl mit mittelnder hochaufl{\"o}sender Elektronenbeugung (SPA-LEED) als auch mit lokaler Elektronenbeugung in der Mikroskopie niederenergetischer Elektronen (LEEM) kartiert. Außerdem wurden diese reziproken Daten durch mikroskopische LEEM Realraumdaten komplement{\"a}r erg{\"a}nzt um die Morphologie der Grenzfl{\"a}che zu charakterisieren. F{\"u}r die gew{\"a}hlte Pr{\"a}parationsart, Adsorption der Molek{\"u}le auf das 550 K warme Substrat, wurden sechs verschiedene Facettentypen ((111), (532), (743),(954), (13 9 5) und (542)) beobachtet. Diese Facettentypen treten in homogenen, mikrometergroßen Gebieten auf der Oberfl{\"a}che auf, wie Dunkelfeld-LEEM Aufnahmen zeigen. Wenn jedoch die urspr{\"u}ngliche mesoskopische Orientierung der Oberfl{\"a}che lokal von der Durchschnittsorientierung z.B. in Bezug auf die urspr{\"u}ngliche Stufendichte abweicht, werden an dieser Stelle andere Facettentypen gebildet und damit das ansonsten regelm{\"a}ßige Muster gest{\"o}rt. Sowohl der Grad der erreichten Ordnung der facettierten Grenzfl{\"a}che als auch die gebildeten Facettentypen h{\"a}ngen somit stark von der urspr{\"u}nglichen mesoskopischen Morphologie des sauberen Substrates ab. Um das Verst{\"a}ndnis der kinetischen Prozesse zu verbessern wurde die Temperaturabh{\"a}ngigkeit der Ausbildung der Grenzfl{\"a}che in einem Temperaturbereich zwischen 418 K und 612 K untersucht. Bei niedrigen Wachstumstemperaturen traten zus{\"a}tzliche, steilere Facetten mit einem Neigungswinkel von 27° gegen{\"u}ber der (111) Fl{\"a}che auf. Weiterhin wurde mit facetten-sensitivem Dunkelfeld-LEEM die Gr{\"o}ßen- sowie die r{\"a}umliche Verteilung ausgew{\"a}hlter Facettentypen bei den verschiedenen Temperaturen untersucht. Die Nukleationsdichte der Facetten zeigte dabei keine Temperaturabh{\"a}ngigkeit. Eine Diffusionslimitierung der Nukleation kann daher ausgeschlossen werden. Dar{\"u}ber hinaus wurden die Ausmaße der Facetten statistisch ausgewertet. Die absolute Facettengr{\"o}ße folgt einer exponentiellen Verteilung, was auf ein zufallsgetriebenes Wachstum und das Fehlen einer Wechselwirkung der Facetten untereinander hinweist. W{\"a}hrend die Facettenl{\"a}ngen ebenso einer exponentiellen Verteilung unterliegen, ist die Breitenverteilung durch ein Maximum ausgezeichnet. Letztere Verteilung spiegelt den hohen Grad an lateraler Ordnung in dem System wieder. Diese Anisotropie h{\"a}ngt von der Temperatur ab und kann bei Substrattemperaturen {\"u}ber 478 K w{\"a}hrend des Wachstums beobachtet werden. Die Existenz eines Maximums in einer solchen Gr{\"o}ßenverteilung weist auf eine langreichweitige Wechselwirkung hin, die die strukturelle Ordnung induziert. Die Natur dieser langreichweitigen Wechselwirkung wurde mit drei komplement{\"a}ren in-situ Methoden untersucht, wobei jeweils neue Einblicke in die Ausbildung von facettierten Organik-Metall-Grenzfl{\"a}chen gewonnen werden konnten: Die Biegekristalltechnik, hochaufl{\"o}sende Beugung niederenergetischer Elektronen (SPALEED), sowie deren Mikroskopie (LEEM). Die Biegekristalltechnik wurde das erste Mal {\"u}berhaupt auf ein facettierendes System angewendet. Unterhalb der kritischen Temperatur des Facettierungs{\"u}berganges {\"a}hnelt die Oberfl{\"a}chenspannungs{\"a}nderung w{\"a}hrend der Bildung der PTCDA/Ag(10 8 7)-Grenzfl{\"a}chenbildung sowohl in funktionaler Abh{\"a}ngigkeit als auch in der Gr{\"o}ßenordnung der f{\"u}r die Referenzgrenzfl{\"a}che PTCDA/Ag(111) beobachteten. Oberhalb der {\"U}bergangstemperatur beobachtet man jedoch f{\"u}r die ausfacettierte PTCDA/Ag(10 8 7) Grenzfl{\"a}che mit (0.67 +- 0.10) N/m eine bedeutend gr{\"o}ßere Oberfl{\"a}chenspannungs{\"a}nderung als in den vorherigen F{\"a}llen. Zudem {\"a}ndert sich die Oberfl{\"a}chenspannung in klar unterscheidbaren Schritten mit einer eindeutig aufl{\"o}sbaren Feinstruktur aus positiven und negativen Spannungs{\"a}nderungen. Diese einzelnen Phasen in der {\"A}nderung der Oberfl{\"a}chenspannung k{\"o}nnen Stufen in der Entwicklung der Struktur{\"u}berganges dieses Systems zugeordnet werden, die mit den strukturellen Charakterisierungsmethoden beobachtet wurden. Durch diese Identifikation werden morphologischen Objekten, also den Facetten, ein eigener besonderer Spannungscharakter zugeordnet. Somit werden aber auch Spannungsdom{\"a}nen auf der Oberfl{\"a}che identifiziert. Die Existenz dieser Spannungsdom{\"a}nen ist nun aber die Vorraussetzung f{\"u}r die Anwendung von elastizit{\"a}tsbasierten Kontinuumsbeschreibungen des Selbstordnungseffektes. Daher stellen diese Ergebnisse den ersten experimentellen Nachweis dar, dass diese Kontinuumsbeschreibungen der Selbstorganisation tats{\"a}chlich auch auf die gesamte Materialklasse der facettierenden Organik-Metall-Grenzfl{\"a}chen angewendet werden k{\"o}nnen. Zusammengefasst sind diese Ergebnisse starke Beweise daf{\"u}r, dass elastische Wechselwirkungen der physikalische Ursprung der langreichweitigen Ordnung dieses Systems sind. Weiterhin legt die eindeutige Korrelation zwischen strukturellem Phasen{\"u}bergang und Oberfl{\"a}chenspannungs{\"a}nderung auch nahe, dass letzterer ebenso eine wichtige Rolle in der Kinetik des Systems spielt. Tats{\"a}chlich scheint das System zu versuchen die Gesamt{\"a}nderung der Oberfl{\"a}chenspannung w{\"a}hrend der Grenzfl{\"a}chenbildung durch die Bildung von Facettentypen positiven und negativen Charakters zu begrenzen. Daher k{\"o}nnte die Art ihres Beitrags zur Oberfl{\"a}chenspannungs{\"a}nderung dar{\"u}ber entscheiden, ob eine bestimmte Facettenorientierung gebildet wird oder nicht. Auch scheint das System sich bei hohen Bedeckungen unter anderem deshalb erneut umzufacettieren um der Bildung von fehlerhaften Dom{\"a}nengrenzen entgegenzuwirken, die mit einem Anstieg der Oberfl{\"a}chenspannung verbunden w{\"a}ren. Schließlich wurde im Rahmen dieser Arbeit noch das templatunterst{\"u}tzte Wachstum lateraler, heteroorganischer Nanostrukturen untersucht. Dabei wurde ein zweites, typisches molekulares Modellsystem, sogenannte "Selbstassemblierte Monolagen", auf der teilbedeckten PTCDA/Ag(10 8 7) Grenzfl{\"a}che aufgewachsen. Mit Standardmethoden der Oberfl{\"a}chencharakterisierung konnte nachgewiesen werden, dass die grundlegenden Eigenschaften dieses Wachstumsprinzips im Experiment in der Tat erreicht werden.},
  subject      = {Selbstorganisation},
  language  = {en}
}
@phdthesis{Stadler2009,
  author    = {Stadler, Christoph},
  title     = {Strukturuntersuchungen organischer Monolagen auf Ag(111)},
  url       = {http://nbn-resolving.de/urn:nbn:de:bvb:20-opus-35930},
  school      = {Universit{\"a}t W{\"u}rzburg},
  year      = {2009},
  abstract  = {In dieser Arbeit wurden zwei komplement{\"a}re Beugungsverfahren verwendet, um die geometrische Struktur von organischen Adsorbaten (NTCDA und verschiedenen Metall-Pcs) auf Ag(111) zu untersuchen: um die lateralen Strukturparameter zu messen wurde hochaufl{\"o}sende Beugung niederenergetischer Elektronen (SPALEED) verwendet. Die vertikalen Abst{\"a}nde der einzelnen atomaren Spezies von der Silberoberfl{\"a}che wurden mit der Methode der Absorption in stehenden R{\"o}ntgenwellenfeldern (XSW) bestimmt. Aus den Arbeiten von Kilian et al. [43, 42] ist bekannt, daß die relaxierte und komprimierte Monolage NTCDA/Ag(111) einen Ordnungs-Unordnungs-Phasen{\"u}bergang beim Abk{\"u}hlen besitzt. Dazu sollten zu Beginn dieser Arbeit stabile Parameter mithilfe von K{\"u}hlversuchen unter Beobachtung im LEED gefunden werden, um diesen Phasen{\"u}bergang zu reproduzieren. Dies ist nicht gelungen. Es wurden aber die vertikalen Abst{\"a}nde der Kohlenstoff- und Sauerstoffatome der relaxierten Monolage zum Substrat mithilfe von XSW bestimmt. Diese best{\"a}tigen die Messungen von Stanzel et al. [88, 87], die aufgrund des geringen Abstandes auf Chemisorption schließen lassen. Dar{\"u}berhinaus wurde die Methode von Stanzel et al. verfeinert, das Photoelektronensignal (O1s) und das Auger-Signal (OKLL) koh{\"a}rent zu interpretieren. Dabei wurden sowohl die nichtdipolaren Parameter der Photoemission (O1s) als auch der Anteil der durch Sekund{\"a}relektronen induzierten Augerzerf{\"a}lle (OKLL) ber{\"u}cksichtigt und iterativ angepasst. Im Fall von NTCDA ist es m{\"o}glich, anhand der Peakstruktur der O1s-Photoelektronen die Anhydridsauerstoffe von den Carbonylsauerstoffen zu trennen. Diese wurden bei XSW als getrennte Detektionskan{\"a}le verwendet und zeigen f{\"u}r die relaxierte Monolagenstruktur von NTCDA/Ag(111) - {\"a}hnlich wie schon von Hauschild et al. f{\"u}r PTCDA/Ag(111) [29, 30] gemessen - daß die Carbonylsauerstoffe in den Ecken des NTCDA-Molek{\"u}ls um ca. 0:10 n{\"a}her am Substrat liegen als die Anhydridsauerstoffe in der Br{\"u}ckenposition. Solch detaillierten Messungen sind notwendig, um f{\"u}r die Vielzahl von verschiedenen theoretischen ab-initio Methoden und N{\"a}herungsrechnungen ein Maß f{\"u}r deren Genauigkeit bereitzustellen. Bei den relativ großen Einheitszellenund der deshalb hohen Anzahl von Elektronen im organischen Molek{\"u}l und den darunterliegenden Silberatomen haben diese Methoden noch Schwierigkeiten in endlicher Zeit akkurate Ergebnisse zu liefern. Der Hauptteil der Arbeit besch{\"a}ftigte sich mit der geometrischen Struktur von Metall-Phthalocyaninen auf Ag(111). Das Phasendiagramm der Submonolagenstrukturen von SnPc/Ag(111) besteht im wesentlichen aus drei Bereichen in Abh{\"a}ngigkeit der Bedeckung und der Temepratur: Bei Raumtemperatur liegt bei niedrigen Bedeckungen unterhalb von ca. 0.9ML eine gasf{\"o}rmige Phase vor. Zwischen 0.9ML und 1 ML treten inkommensurable Strukturen auf, deren geometrische Parameter mit der Bedeckung variieren. Bei beiden Phasen nimmt der intermolekulare Abstand kontinuierlich mit der Bedeckung ab. Zumindest bei den inkommensurablen Phasen ist das ein klarer Beweis f{\"u}r eine Repulsion zwischen den Molek{\"u}len. Bei tiefen Temperaturen (<45°C) gibt es in einem mittleren Bedeckungsbereich (0.5ML - 0.92ML) eine kommensurable {\"U}berstruktur mit zwei Molek{\"u}len pro Einheitszelle. Es ist sogar m{\"o}glich, von der inkommensurablen Phase (0.9ML...0.92ML) durch Temperaturabsenkung zu dieser etwas dichter gepackten kommensurablen Phase zu gelangen - die Repulsion l{\"a}sst sich also nur mit Hilfe einer Temperatur{\"a}nderung in eine Attraktion zwischen den Molek{\"u}len umschalten. Aufgrund der Abst{\"a}nde der verschiedenen Spezies zum Silbersubstrat konnte die Orientierung der Molek{\"u}le zum Substrat in den verschiedenen Phasen gemessen werden. Sie deuten auf eine chemisorptive Anbindung der Molek{\"u}le. Interessanterweise liegen die Molek{\"u}le in der Monolage alle mit dem Sn-Atom zum Substrat, w{\"a}hrend das Sn-Atom in der kommensurablen Tieftemperaturphase alternierend zum Substrat hinund wegzeigt. Diese Messungen erlauben eine Begr{\"u}ndung der Attraktion und Repulsion zwischen den Molek{\"u}len auf Basis eines Donations-R{\"u}ckdonationsmodells der Bindung der Molek{\"u}le an das Substrat. Sie werden mit den Ergebnissen von CuPc/Ag(111) von Ingo Kr{\"o}ger verglichen [46]. Schließlich werden noch erste Messungen an TiOPc vorgestellt. Die Datenlage bei TiOPc ist noch weniger dicht, es zeigt aber ein {\"a}hnliches Verhalten. Der augenf{\"a}lligste Unterschied zu SnPc ist wohl die stabile Bi-Lage im Fall des TiOPc/Ag(111), die sich nicht durch Tempern vollst{\"a}ndig abl{\"o}sen l{\"a}sst - im Gegensatz zu SnPc/Ag(111). Diese ersten geometrischen Messungen stimulierten neben weiteren SPALEED und XSW Messungen [46, 85] eine Reihe weiterer Untersuchungen in der Gruppe wie UPS, Austrittsarbeits{\"a}nderungen und detaillierte XPS-Messungen an den Rumpfelektronen, die das Donations-R{\"u}ckdonationsmodell und die Orientierung der Molek{\"u}le best{\"a}tigen [108, 71].},
  subject      = {LEED},
  language  = {de}
}
@phdthesis{Maier2010,
  author    = {Maier, Florian C.},
  title     = {Spectromicroscopic characterisation of the formation of complex interfaces},
  url       = {http://nbn-resolving.de/urn:nbn:de:bvb:20-opus-65062},
  school      = {Universit{\"a}t W{\"u}rzburg},
  year      = {2010},
  abstract  = {Within the framework of this thesis the mechanisms of growth and reorganisation of surfaces within the first few layers were investigated that are the basis for the fabrication of high quality thin films and interfaces. Two model systems, PTCDA/Ag(111) and CdSe/ZnSe quantum dots (QD), were chosen to study such processes in detail and to demonstrate the power and improvements of the aberration corrected spectromicroscope SMART [1] simultaneously. The measurements benefit especially from the enhanced transmission of the microscope and also from its improved resolution. SMART, the first double-aberration corrected instrument of its kind [2], provided comprehensive methods (LEEM/PEEM, μ-LEED, μ-XPS) to study in-situ and in real time the surface reorganisation and to determine morphology, local structure and local chemical composition of the resulting thin film. Complementarily, a commercial AFM [3] was used ex-situ. XPEEM and μ-XPS measurements were made possible by attaching SMART to the high flux density beamline of the soft-X-ray source BESSY-II [4]. PTCDA/Ag(111) - Growth and structure of the first two layers Although PTCDA/Ag(111) is one of the most intensely studied model systems for the growth of organic semiconductor thin films, it still offers new insights into a complex growth behaviour. This study enlightens the temperature dependant influence of morphological features as small as monatomic Ag steps on the growth process of the first two layers. At low temperatures, single Ag steps act as diffusion barriers. But interdiffusion was observed already for the 2nd layer whereas domain boundaries in the 1st PTCDA-layer persist for crystallite growth in the 2nd layer. 1st layer islands are more compact and the more dendritic development of the 2nd layer indicates reduced interaction strength between 2nd and 1st layer. These findings were explained by a model consisting of structural and potential barriers. The second part of the PTCDA study reveals a variety of phases that appears only if at least two layers are deposited. Besides the six known rotational domains of the interface system PTCDA/Ag(111) [5], a further manifold of structures was discovered. It does not only show a surprising striped image contrast, but the 2nd layer also grows in an elongated way along these so-called 'ripples'. The latter show a rather large period and were found in a wide temperature range. Additionally the μ-LEED pattern of such a domain shows a new super-superstructure as well. This phase is explained by a structural model that introduces a rotated, more relaxed domain in the 2nd layer that does not exist in the first layer. Its structural parameters are similar to those of the bulk unitcells of PTCDA. The model is confirmed by the observation of two different rotational domains that grow on top of one single 'substrate' domain in the 1st layer. The orientations of the ripple phases fit as well to the predictions of the model. The growth direction along the ripples corresponds to the short diagonal of the super-superstructure unitcell with diamond-like shape. CdSe/ZnSe - Inverse structuring by sublimation of an α-Te cap With the second model system the formation of CdSe quantum dots (QD) from strained epi-layers was investigated. In this case the structures do not form during deposition, but rather during sublimation of the so-called 'ignition cap'. For these pilot experiments not only the process of QD formation itself was of interest, but also the portability of the preparation and the prevention of contaminations. It was found that the α-Se is well suited for capping and the last step of the QD preparation, the sublimation of the α-Te cap, needs a sufficiently high rate in rise of temperature. Subsequently the cap, the process of desorption and the final surface with the quantum structures were investigated in detail. The cap was deposited by the MBE-group in W{\"u}rzburg as an amorphous Te layer but was found to contain a variety of structures. Holes, cracks, and micro-crystallites within an α-Te matrix were identified. Sublimation of the "ignition cap" was observed in real-time. Thus the discovered cap-structures could be correlated with the newly formed features as, e.g., QDs on the bare CdSe surface. Since CdSe/ZnSe QDs prefer to form in the neighbourhood of the Te μ-crystallites, Te was found to play a major role in their formation process. Different explanations as the impact of Te as a surfactant, an enhanced mobility of adatoms or as stressor nuclei are discussed. The spectromicroscopic characterisation of the CdSe surface with QDs revealed the crystallographic directions. An increased Cd signal of the film was found at positions of former holes. Several possibilities as segregation or surface termination are reviewed, that might explain this slight Cd variation. Therewith, an important step to a detailed understanding of the complex reorganisation process in coating systems could be achieved.},
  subject      = {Halbleiterschicht},
  language  = {en}
}
@phdthesis{Weigand2005,
  author    = {Weigand, Wolfgang},
  title     = {Geometrische Struktur und Morphologie epitaktisch gewachsener ZnSe-Schichtsysteme},
  url       = {http://nbn-resolving.de/urn:nbn:de:bvb:20-opus-12955},
  school      = {Universit{\"a}t W{\"u}rzburg},
  year      = {2005},
  abstract  = {Halbleiterbauelemente sind im t{\"a}glichen Leben allgegenw{\"a}rtig und haben in den letzten Jahrzehnten unseren Lebensstil vollkommen ver{\"a}ndert.W{\"a}hrend diemikro-elektronischen Bauelemente haupts{\"a}chlich auf Silizium-Technologie basieren, gewannen Anfang der 90-ziger Jahre Verbindungshalbleiter wie GaAs, GaN, CdHgTe oder ZnSe f{\"u}r opto-elektronische Bauelemente immer st{\"a}rkere Bedeutung. Besonders der II-VI Halbleiter ZnSe war wegen seiner großen Bandl{\"u}cke und seiner geringen Versetzungsdichte einer der gr{\"o}ßten Hoffnungstr{\"a}ger, blau emittierende Laserdioden zu realisieren. Wie sich sp{\"a}ter zeigte, weisen ZnSe-basierte blaue Laserdioden aber binnen kurzer Zeit eine ausgepr{\"a}gte Degradation ihrer opto-elektronisch aktiven Schicht auf [Guha97]. Dies f{\"u}hrte schließlich dazu, dass sich zur Produktion blau-gr{\"u}n emittierender Laserdioden das konkurrierende Halbleitermaterial GaN durchsetzte [Pearton99] und ZnSe in den Hintergrund gedr{\"a}ngt wurde. In j{\"u}ngster Zeit aber erlebt das ZnSe Halbleitermaterial in spintronischen Bauelementen eine Renaissance [Fiederling99], und auch in Kombination mit Mg und Fe konnten interessante magnetische Eigenschaften nachgewiesen werden [Marangolo01,Marangolo02]. ZurHerstellung der oben erw{\"a}hnten opto-elektronischen und spintronischen Schichtstrukturen wird haupts{\"a}chlich die Molekular-Strahl-Epitaxie (MBE) eingesetzt. Sie gew{\"a}hrleistet erstens eine geringe Defektdichte und einen hohen Reinheitsgrad der erzeugten Schichtstrukturen. Zweitens k{\"o}nnen die elektronischen Eigenschaften der so erzeugten Schichtstrukturen durchDotierung gezielt beeinflusstwerden. F{\"u}r das Wachstum der ZnSe-basierten Schichtsysteme ist zum einen die genutzte Substratfl{\"a}che entscheidend. Als m{\"o}gliche Substratkristalle bieten sich Halbleitermaterialien wie GaAs und Germanium an, die gegen{\"u}ber dem ZnSe-Kristall eine sehr kleine Gitterfehlanpassung aufweisen (< 0.3 \%). Zum anderen nimmt die ZnSe Oberfl{\"a}che eine wichtige Rolle ein, weil an ihr das Wachstum abl{\"a}uft und ihre mikroskopischen Eigenschaften direkt das Wachstum beeinflussen. Die genauen Mechanismen dieses Wachstumsprozesses sind bis jetzt nur in Ans{\"a}tzen verstanden (siehe z.B. [Pimpinelli99,Herman97]), weshalb die Wachstumsoptimierung meist auf empirischem Weg erfolgt. Aus diesem Grund besteht ein gesteigertes akademisches Interesse an der Aufkl{\"a}rung der mikroskopischen Eigenschaften der Halbleiteroberfl{\"a}chen. F{\"u}r die Oberfl{\"a}chen von CdTe- und GaAs-Kristallen wurden diesbez{\"u}glich bereits zahlreicheUntersuchungen durchgef{\"u}hrt, die die geometrische und elektronische Struktur und dieMorphologie dieser Oberfl{\"a}chen analysieren.MitHilfe von experimentellen Methoden wie Rastertunnel-Mikroskopie (STM), Photoelektronen-Spektroskopie (PES, ARUPS) und verschiedenen Beugungsmethoden (SXRD,HRXRD und LEED) bzw. theoretischen Berechnungen (DFT) wurde das Verhalten dieser Oberfl{\"a}chen untersucht. Ihren Eigenschaften wird Modell-Charakter zugewiesen, der oft auf andere II-VI und III-V Halbleiteroberfl{\"a}chen angewendet wird. {\"U}berraschenderweise ist das Verhalten der ZnSe Oberfl{\"a}che, obwohl sie so lange im Mittelpunkt der Forschung um den blauen Laser stand, weit weniger gut verstanden. Unter anderemexistieren f{\"u}r die geometrische Struktur der c(2×2)-rekonstruierten ZnSe(001)Wachstumsoberfl{\"a}che zwei konkurrierende Strukturmodelle, die sich widersprechen. Ziel der nachfolgenden Abhandlung ist es, zuerst die geometrische Struktur und die Morphologie der verschieden rekonstruierten ZnSe(001) Oberfl{\"a}chen zu untersuchen und mit dem Verhalten anderer II-VI Oberfl{\"a}chen zu vergleichen. Dadurch soll festgestellt werden, welche Eigenschaften der II-VI Halbleiteroberfl{\"a}chen Modell-Charakter besitzen, also {\"u}bertragbar auf andere II-VI Halbleiteroberfl{\"a}chen sind, und welche der Oberfl{\"a}chen-Eigenschaften materialspezifisch sind (siehe Tab. 5.1). Zweitens wird die geometrische Struktur und dieMorphologie der Te-passivierten Ge(001) Oberfl{\"a}che untersucht. Diese Oberfl{\"a}che ist wegen ihrer geringen Gitterfehlanpassung bzgl. des ZnSe Kristalls eine erfolgversprechende Substratoberfl{\"a}che, um das ZnSe-Wachstum auch auf nicht-polaren Halbleiteroberfl{\"a}chen zu etablieren. Zur Untersuchung der geometrischen Struktur bzw. Morphologie der Halbleiteroberfl{\"a}chen wurden die zwei komplement{\"a}ren Methoden SXRD und SPA-LEED eingesetzt. Die oberfl{\"a}chenempfindliche R{\"o}ntgenbeugung (SXRD) erm{\"o}glicht es, die geometrische Struktur, also den genauen atomaren Aufbau der Oberfl{\"a}che, aufzukl{\"a}ren. Die hochaufl{\"o}sende niederenergetische Elektronenbeugung (SPA-LEED) hingegen liefert Informationen {\"u}ber die Morphologie, also die Gestalt der Oberfl{\"a}che auf mesoskopischer Gr{\"o}ßenskala. Diese Untersuchungen werden durch hochaufl{\"o}sende klassische R{\"o}ntgenbeugung (HRXRD), Rasterkraft-Mikroskopie (AFM), hochaufl{\"o}sender Photoelektronen-Spektroskopie (PES, ARUPS) und Massen-Spektroskopie (QMS) erg{\"a}nzt. Die vorliegende Arbeit gliedert sich in folgende drei Teile: Zuerst wird in die SXRD und SPA-LEED Methoden eingef{\"u}hrt, mit denen haupts{\"a}chlich gearbeitet wurde (Kapitel 2). Anschließend werden die experimentellen Untersuchungen an der Te/Ge(001) Oberfl{\"a}che und an den verschieden rekonstruierten ZnSe(001) Oberfl{\"a}chen vorgestellt (Kapitel 5 bis 8). Im dritten und letzten Teil werden schließlich die wichtigsten Ergebnisse und Schlussfolgerungen zusammengefasst (Kapitel 9).},
  subject      = {Zinkselenid},
  language  = {de}
}
@phdthesis{Metzger2021,
  author    = {Metzger, Christian Thomas Peter},
  title     = {Development of photoemission spectroscopy techniques for the determination of the electronic and geometric structure of organic adsorbates},
  doi       = {10.25972/OPUS-22952},
  url       = {http://nbn-resolving.de/urn:nbn:de:bvb:20-opus-229525},
  school      = {Universit{\"a}t W{\"u}rzburg},
  year      = {2021},
  abstract  = {The projects presented in this thesis cover the examination of the electronic and structural properties of organic thin films at noble metal-organic interfaces. Angle-resolved photoemission spectroscopy is used as the primary investigative tool due to the connection of the emitted photoelectrons to the electronic structure of the sample. The surveyed materials are of relevance for fundamental research and practical applications on their own, but also serve as archetypes for the photoemission techniques presented throughout the four main chapters of this thesis. The techniques are therefore outlined with their adaptation to other systems in mind and a special focus on the proper description of the final state. The most basic description of the final state that is still adequate for the evaluation of photoemission data is a plane wave. Its simplicity enables a relatively intuitive interpretation of photoemission data, since the initial and final state are related to one another by a Fourier transform and a geometric factor in this approximation. Moreover, the initial states of some systems can be reconstructed in three dimensions by combining photoemission measurements at various excitation energies. This reconstruction can even be carried out solely based on experimental data by using suitable iterative algorithms. Since the approximation of the final state in the photoemission process by a plane wave is not valid in all instances, knowledge on the limitations of its applicability is indispensable. This can be gained by a comparison to experimental data as well as calculations with a more detailed description of the photoemission final state. One possible appraoch is based on independently emitting atoms where the coherent superposition of partial, atomic final states produces the total final state. This approach can also be used for more intricate studies on organic thin films. To this end, experimental data can be related to theoretical calculations to gain extensive insights into the structural and electronic properties of molecules in organic thin films.},
  subject      = {ARPES},
  language  = {en}
}
@phdthesis{Praetorius2015,
  author    = {Praetorius, Christian Michael},
  title     = {Ce M4,5 XAS and XMCD as Local Probes for Kondo and Heavy Fermion Materials - A Study of CePt5/Pt(111) Surface Intermetallics -},
  url       = {http://nbn-resolving.de/urn:nbn:de:bvb:20-opus-132504},
  school      = {Universit{\"a}t W{\"u}rzburg},
  year      = {2015},
  abstract  = {The aim of the present thesis is to explore the potential of X-ray magnetic circular dichroism(XMCD) experiments on gaining new insights into Kondo and heavy fermion materials. XMCD, which is derived from X-ray absorption spectroscopy (XAS), allows probing magnetic polarization specific to the different elements in a material and to their atomic orbitals. In particular, at the Ce M4,5 edges the method is sensitive to the localized 4f level, which provides the magnetic impurity moment responsible for Kondo physics in Ce compounds. Hence, Ce M4,5 XMCD is ideally suited to investigate local magnetism in the presence of interaction of impurity and conduction electrons in such materials. As a model material, CePt5/Pt(111) surface intermetallics were chosen for the present study. This thin-film material can be prepared by well-defined procedures involving molecular beam epitaxy. Crystalline Ordered samples are obtained by exploiting the single-crystallinity of the Pt(111) substrate. The surface character of thin films ideally matches the probing depth of soft X-ray spectroscopy in the total electron yield mode. The XMCD and XAS experiments, taking into account dependence on temperature, angle of incidence, sample thickness and external magnetic field, revealed the presence of four relevant energy scales that influence the magnetic response: 1. The 4f level in CePt5/Pt(111) is subject to significant crystal field (CF) splitting, which leads to reorganization of the six j = 5/2 sublevels. The hexagonal symmetry of the crystal structure conserves mj as a good quantum number. The proposed CF scheme, which is derived from measurements of the paramagnetic susceptibility by XMCD as well as linear dichroism in XAS, consists of nearly degenerate |1/2> and |3/2> doublets with the |5/2> doublet excited by E5/2 = 15 ... 25 meV. 2. Single impurity Kondo interaction significantly couples the magnetic moments of the impurity and conduction electrons. A signature thereof is the f0 -> f1 contribution to Ce M4,5 XAS, the strength of which can be tuned by control of the sample thickness. This finding is in line with the observation of reduced effective 4f moments as detected by XMCD. 3. Ruderman-Kittel-Kasuya-Yosida (RKKY) interaction induces ferromagnetic correlations on the impurity lattice, which induces a positive Curie-Weiss temperature in the temperature-dependent inverse susceptibility. 4. Indications for the transition to a coherent heavy fermion state are found in the inverse susceptibility at T ~ 20 K; the ferromagnetic ground state is not observed. The fielddependence of the magnetic moment in the coherent state can be interpreted in terms of a metamagnetic transition. This allows studying basic characteristics of the renormalized band structure of a heavy fermion system by XMCD. The disentanglement of these different contributions to the 4f magnetism not only required extensive Ce M4,5 XAS and XMCD data, but also a thorough structural characterization of the material, a fundamental study of the Ce M4,5 line shape in relation to the degree of 4f hybridization and the development of a model for the paramagnetic susceptibility. The unit cell dimensions and sample morphology of CePt5/Pt(111) intermetallics were studied by low-energy electron diffraction (LEED) and scanning transmission electron microscopy (STEM). These experiments showed that well-defined intermetallic films form on top of the substrate. This lead to introduction of the film thickness t, measured in unit cells (u.c.), as a key feature to characterize the samples. Systematic LEED measurements in the thickness range t ~ 1 ... 15 u.c. allowed identification of six different phases, which could be interpreted as resulting from the same crystal structure with different rotational alignments and lattice constants. An accurate determination of the surface lattice constant at t ~ 3 u.c. could be achieved by interpretation of additional superstructure spots as arising from a well-defined combination of substrate and film lattices. The thicknessdependence of the lateral lattice constant could be explained in terms of lattice relaxation. Confirmation of the CePt5 stoichiometry and structure was performed by use of thicknessdependent XAS and a representative LEED-IV study. The results of this study indicate that the intermetallic films exhibit hexagonal CaCu5 structure over the entire range of thicknesses that were studied. The terminating layer consists purely of Pt with one additional Pt atom per unit cell compared to the bulk structure. The line shape of Ce M4,5 spectra was analyzed with the help of full multiplet calculations. Experimentally, characteristic variations of the line shape were observed with increasing f0 -> f1 contribution. The calculations show that these variations are not due to an admixture of j = 7/2 character to the ground state, as often stated in the literature. As alternatives, this observation can be explained by either considering an additional contribution to the spectrum or by assumption of an asymmetric lifetime profile. The model that was developed for the inverse paramagnetic susceptibility contains the hexagonal crystal field, magnetic coupling of the impurity moments in a mean field scheme and Kondo screening. The latter is included phenomenologically by screening factors for the effective moment. Assumption of doublet-specific screening factors, which means that the degree of Kondo interaction depends on the mj character of the 4f sublevels, allows satisfactory reproduction of the experimental data.},
  subject      = {Magnetischer R{\"o}ntgenzirkulardichroismus},
  language  = {en}
}
@phdthesis{Zinner2020,
  author    = {Zinner, Martin Gerhard},
  title     = {Adsorbat-induzierte Oberfl{\"a}chensysteme und ultra-d{\"u}nne intermetallische Legierungsfilme im Fokus der niederenergetischen Elektronenbeugung und spektroskopischer Analysemethoden},
  doi       = {10.25972/OPUS-19274},
  url       = {http://nbn-resolving.de/urn:nbn:de:bvb:20-opus-192749},
  school      = {Universit{\"a}t W{\"u}rzburg},
  year      = {2020},
  abstract  = {Im Rahmen der vorliegenden Dissertation werden mit unterschiedlichen Analysemethoden die Korrelationen zwischen den strukturellen, elektronischen und magnetischen Eigenschaften von Selten Erd-basierten intermetallischen Oberfl{\"a}chenlegierungen anhand der beiden Probensysteme LaPt\$_5\$/Pt(111) und CePt\$_5\$/Pt(111) untersucht. Dar{\"u}ber hinaus werden die strukturellen Eigenschaften von Adsorbat-induzierten Oberfl{\"a}chenrekonstruktionen im sub-ML Bereich in reduzierten Dimensionen auf der Halbleiteroberfl{\"a}che Si(111) anhand der beiden Materialsysteme Si(111)-(5\$\times\$2)-Au und Si(111)-(\$\sqrt{3}\times\sqrt{3}\$)R30\${\degree}\$-Sn mit der Methode LEED-IV analysiert. Das erste experimentelle Kapitel dieser Arbeit behandelt die intermetallische Oberfl{\"a}chenlegierung LaPt\$_5\$/Pt(111), die sich ausbildet wenn La-Atome auf einem sauberen Pt(111)-Substrat abgeschieden werden und anschließend thermische Energie hinzugef{\"u}gt wird. Die Dicke der gebildeten Legierung l{\"a}sst sich {\"u}ber die zuvor angebotene Menge an La-Atomen variieren und resultiert aufgrund der Gitterfehlanpassung von Pt(111) und den obenauf liegenden LaPt\$_5\$-Filmen in sechs unterschiedliche Beugungsmuster im LEED, deren {\"U}berstrukturvektoren durch zwei unterschiedliche Rotationsausrichtungen in Bezug auf das Gitter des Substrats und unterschiedlichen lateralen Gitterkonstanten der Filme gekennzeichnet sind. Die atomare Struktur kann auf eine gemeinsame Kristallstruktur zur{\"u}ckgef{\"u}hrt werden, deren St{\"o}chiometrie aus dickenabh{\"a}ngigen AES-Messungen zu LaPt\$_5\$ mit einer Pt-reichen Oberfl{\"a}chenabschlusslage bestimmt werden konnte. Die Ergebnisse einer durchgef{\"u}hrten LEED-IV Studie best{\"a}tigen das Wachstum der Filme in der CaCu\$_5\$-Struktur, wobei die Oberfl{\"a}chenterminierungslage im Vergleich zum Volumengitter ein zus{\"a}tzliches Pt-Atom pro Einheitszelle aufweist, das zus{\"a}tzlich um einen Wert von \unit{0.26}{\angstrom} aus der Oberfl{\"a}che hervorsteht. Die La-Atome, die direkt unterhalb der Terminierungslage liegen, erfahren eine Verschiebung in entgegengesetzter Richtung, so dass im Vergleich zum Volumen der Filme eine lokal ver{\"a}nderte Symmetrie im oberfl{\"a}chennahen Bereich vorherrscht und sich auf die elektronischen Eigenschaften der LaPt\$_5\$-Filme auswirkt. Dar{\"u}ber hinaus wurden die Schwingungseigenschaften der LaPt\$_5\$-Filme mittels der polarisierten in situ Raman-Spektroskopie bestimmt, bei der die auftretenden Schwingungspeaks durch die Kenntnis der atomaren Struktur und mit {\"U}berlegungen aus der Gruppentheorie unterschiedlichen Tiefenbereichen der LaPt\$_5\$-Filme (Volumen und Oberfl{\"a}che) zugewiesen werden konnten. Im zweiten experimentellen Kapitel liegt der Fokus auf der atomaren Struktur sowie auf den elektronischen und magnetischen Eigenschaften des Kondo- und Schwerfermionensystems CePt\$_5\$/Pt(111). In Abh{\"a}ngigkeit von der vor dem Legierungsprozess angebotenen Menge an Ce-Atomen auf dem Pt(111)-Substrat konnten insgesamt sieben verschiedene LEED-Phasen der CePt\$_5\$-Filme identifiziert werden, deren jeweilige Oberfl{\"a}chenrekonstruktionen durch eine unterschiedliche Rotationsausrichtung in Bezug auf das Pt(111)-Substrat gekennzeichnet sind. Zus{\"a}tzlich ist die laterale Gitterkonstante einem Prozess aus Verspannung und Dehnung aufgrund der Gitterfehlanpassung von Film und Substrat ausgesetzt. Eine durchgef{\"u}hrte LEED-IV Analyse best{\"a}tigt das Wachstum der Filme in der CaCu\$_5\$-Struktur mit einer Pt-reichen Oberfl{\"a}chenabschlusslage, deren Pt\$_3\$-Kagom\'{e}-Lage im Vergleich zum Volumengitter mit einem zus{\"a}tzlichen Pt-Atom pro Einheitszelle gef{\"u}llt ist. Die strukturellen Ergebnisse stimmen mit erzielten Resultaten aus fr{\"u}heren Arbeiten {\"u}berein und verdeutlichen zudem die isostrukturellen Eigenschaften zur intermetallischen Oberfl{\"a}chenlegierung LaPt\$_5\$/Pt(111). Dies erm{\"o}glicht durch geeignete Vergleichsexperimente an LaPt\$_5\$/Pt(111) die induzierten Ph{\"a}nomene der \$4f\$-Elektronen bez{\"u}glich des Kondo- und Schwerfermionenverhaltens bei CePt\$_5\$/Pt(111) zu bestimmen, da La-Atome in ihrem atomaren Aufbau keine \$4f\$-Elektronen beherbergen. Mit der polarisierten in situ Raman-Spektroskopie aufgenommene Spektren anhand von unterschiedlich dicken CePt\$_5\$-Filmen beinhalten sowohl charakteristische Schwingungspeaks als auch elektronische {\"U}berg{\"a}nge. Das spektroskopische Verhalten der Schwingungspeaks zeigt dabei nicht nur Gemeinsamkeiten zu LaPt\$_5\$/Pt(111) bei der Zuweisung der Schwingungsmoden zu den jeweiligen Tiefenbereichen in den CePt\$_5\$-Filmen, sondern es treten auch Unterschiede auf, da eine CePt\$_5\$-Schwingungsmode einem anormalen Temperaturverhalten unterliegt, das auf die Wechselwirkung mit den \$4f\$-Elektronen zur{\"u}ckzuf{\"u}hren ist. Weitere spezifische Raman-Signaturen, die elektronischen {\"U}berg{\"a}ngen in Form von Kristallfeldniveauaufspaltungen der \$4f\$-Elektronen von Ce zugewiesen werden konnten, resultieren ebenfalls aus unterschiedlichen Regionen der CePt\$_5\$-Filme (Oberfl{\"a}che, inneres Volumen, Interface). Die magnetischen Eigenschaften der CePt\$_5\$-Filme wurden mit XAS und XMCD an den Ce M\$_{4,5}\$-Kanten in Abh{\"a}ngigkeit von der Temperatur, dem Einfallswinkel, der Filmdicke und der St{\"a}rke des Magnetfelds analysiert. Die markanten {\"U}berg{\"a}nge zwischen unterschiedlichen Curie-Weiss-Regimen in der inversen Suszeptibilit{\"a}t erlauben R{\"u}ckschl{\"u}sse {\"u}ber das Kristallfeldaufspaltungsschema, die Kondo- und die RKKY-Wechselwirkung und korrelieren mit der Ce-Valenz. Zudem konnte bei tiefen Temperaturen ein {\"U}bergang in den koh{\"a}renten Schwerfermionen-Zustand f{\"u}r alle untersuchten CePt\$_5\$-Filmdicken in dieser Arbeit nachgewiesen werden. Durch die Vorhersage eines metamagnetischen Lifshitz-{\"U}bergangs f{\"u}r diese Filme, der sich in der Magnetfeldabh{\"a}ngigkeit des magnetischen Moments {\"a}ußert, konnte durch die Aufnahme von Magnetisierungskurven bei tiefen Temperaturen und hohen Magnetfeldern auf zwei weitere charakteristische Energieskalen der renormalisierten Bandstruktur zugegriffen werden. Das dritte experimentelle Kapitel widmet sich der mit LEED und LEED-IV durchgef{\"u}hrten Aufkl{\"a}rung der atomaren Struktur eines quasi-eindimensionalen Elektronensystems, bei dem sich die gebildeten Au-Nanodr{\"a}hte auf der Si(111)-Oberfl{\"a}che durch eine Si(111)-(5\$\times\$2)-Au Rekonstruktion beschreiben lassen. Die aufgenommenen LEED-Bilder mit ihren markanten Beugungsreflexen und sogenannten Streifen deuten auf drei gleichwertige Rotationsdom{\"a}nen, die jeweils um einen Winkel von \unit{120}{\degree} gegeneinander gedreht sind, auf der Oberfl{\"a}che hin. Zudem konnte aus einer Simulation der Beugungsbilder das Auftreten von Streifen durch drei zus{\"a}tzliche Spiegeldom{\"a}nen, die eine Phasenverschiebung von einem halben {\"U}berstrukturvektor einf{\"u}hren und bei einer sorgf{\"a}ltigen LEED-IV Analyse ebenfalls ber{\"u}cksichtigt werden sollten, erkl{\"a}rt werden. Aus den in der Literatur nach einer zweiten Rekalibrierung der n{\"o}tigen Menge an Au-Atomen zur Ausbildung der Si(111)-(5\$\times\$2)-Au Rekonstruktion in den letzten Jahren heftig diskutierten Strukturmodellen gibt das von Kwon und Kang aufgestellte Geometriemodell (KK-Modell) die beobachteten energieabh{\"a}ngigen Intensit{\"a}tsmodulationen in den experimentellen Daten beim Vergleich mit theoretisch berechneten IV-Kurven am besten wieder. F{\"u}r dieses Modell nimmt der R-Faktor nach Pendry bei den unabh{\"a}ngig voneinander betrachteten drei Energieserien unter verschiedenen Einfallswinkeln der Elektronen auf die Probenoberfl{\"a}che stets den kleinsten Wert an. Unter der expliziten Ber{\"u}cksichtigung von Si-Adatomen, die sich zus{\"a}tzlich auf der Oberfl{\"a}che befinden und in einer (5\$\times\$4)-Einheitszelle beschrieben werden k{\"o}nnen, bleibt das KK-Modell das zu pr{\"a}ferierende Strukturmodell zur Beschreibung der ausgebildeten Au-Ketten und der Si-Honigwabenstruktur bei der Si(111)-(5\$\times\$2)-Au Oberfl{\"a}chenrekonstruktion. Im letzten experimentellen Kapitel wird ein zweidimensionales Elektronensystem -- die \$\alpha\$-Si(111)-(\$\sqrt{3}\times\sqrt{3}\$)R30\${\degree}\$-Sn Oberfl{\"a}chenrekonstruktion, die sich bei 1/3 ML an Sn-Adsorbaten auf dem Si(111)-Substrat ausbildet -- im Hinblick auf die atomare Struktur bei Raumtemperatur mit LEED und LEED-IV untersucht. Aus den insgesamt sechs in die Analyse aufgenommenen Strukturmodellen, bei denen die Sn-Atome innerhalb der rekonstruierten (\$\sqrt{3}\times\sqrt{3}\$)R30\${\degree}\$-Einheitszelle unterschiedliche Adsorptionspl{\"a}tze auf einer ideal terminierten Si(111)-Oberfl{\"a}che einnehmen, konnte ein Legierungsverhalten, wie es bei der \$\gamma\$-Si(111)-(\$\sqrt{3}\times\sqrt{3}\$)R30\${\degree}\$-Sn Phase auftritt, ausgeschlossen werden. Die Sn-Atome ordnen sich ausschließlich auf der Oberfl{\"a}che neu an und f{\"u}hren zu einer Relaxation des darunterliegenden Substrats, deren atomare Verschiebungen sich bis in die sechste Si-Lage nachverfolgen lassen. Im Vergleich zu fr{\"u}heren Strukturaufkl{\"a}rungen an diesem Materialsystem best{\"a}tigt diese Analyse, dass sich die abgeschiedenen Sn-Atome auf T\$_4\$-Adsorptionspl{\"a}tzen energetisch g{\"u}nstig anlagern, wobei die bei drei unterschiedlichen Einfallswinkeln aufgenommenen experimentellen Daten an unterschiedlichen Probenpositionen auf ein vorhandenes bzw. fehlendes Si-Atom auf einem S\$_5\$-Gitterplatz im darunterliegenden Si(111)-Substrat hindeuten. Außerdem konnte das theoretisch vorhergesagte dynamische Fluktuations-Modell aufgrund der sehr stark erh{\"o}hten thermischen Auslenkungen der Sn-Atome aus ihrer Gleichgewichtslage in den Modellrechnungen zur dynamischen Streutheorie nachgewiesen werden. Dies k{\"o}nnte neben den unregelm{\"a}ßig angeordneten Si-Fehlstellen eine Ursache f{\"u}r das Ausbleiben des strukturell reversiblen Phasen{\"u}bergangs von einer (\$\sqrt{3}\times\sqrt{3}\$)R30\${\degree}\$-Phase zu einer (3\$\times\$3)-Phase bei tiefen Temperaturen, wie er beispielsweise beim elektronisch vergleichbaren Adsorbatsystem Ge(111)-(\$\sqrt{3}\times\sqrt{3}\$)R30\${\degree}\$-Sn auftritt, sein.},
  subject      = {Schwere-Fermionen-System},
  language  = {de}
}