@phdthesis{Goepfert2012,
  author    = {G{\"o}pfert, Sebastian},
  title     = {Einzel-Quantenpunkt-Speichertransistor: Experiment und Modellierung},
  url       = {http://nbn-resolving.de/urn:nbn:de:bvb:20-opus-80600},
  school      = {Universit{\"a}t W{\"u}rzburg},
  year      = {2012},
  abstract  = {In dieser Arbeit wurden Einzel-Quantenpunkt-Speichertransistoren im Experiment untersucht und wesentliche Ergebnisse durch Modellierung nachgebildet. Der Einzel-Quantenpunkt-Speichertransistor ist ein Bauelement, welches durch eine neuartige Verfahrensweise im Schichtaufbau und bei der Strukturierung realisiert wurde. Hierbei sind vor allem zwei Teilschritte hervorzuheben: Zum einen wurde das Speicherelement aus positionskontrolliert gewachsenen InAs Quantenpunkten gebildet. Zum anderen wurden durch eine spezielle Trocken{\"a}tztechnik schmale {\"A}tzstrukturen erzeugt, welche sehr pr{\"a}zise an der lateralen Position der Quantenpunkte ausgerichtet war. Durch diese Verfahrensweise war es somit m{\"o}glich, Transistorstrukturen mit einzelnen Quantenpunkten an den charakteristischen Engstellen des Kanals zu realisieren.},
  subject      = {Quantenpunkt},
  language  = {de}
}