TY - JOUR A1 - Wroński, Piotr Andrzej A1 - Wyborski, Paweł A1 - Musiał, Anna A1 - Podemski, Paweł A1 - Sęk, Grzegorz A1 - Höfling, Sven A1 - Jabeen, Fauzia T1 - Metamorphic Buffer Layer Platform for 1550 nm Single-Photon Sources Grown by MBE on (100) GaAs Substrate JF - Materials N2 - We demonstrate single-photon emission with a low probability of multiphoton events of 5% in the C-band of telecommunication spectral range of standard silica fibers from molecular beam epitaxy grown (100)-GaAs-based structure with InAs quantum dots (QDs) on a metamorphic buffer layer. For this purpose, we propose and implement graded In content digitally alloyed InGaAs metamorphic buffer layer with maximal In content of 42% and GaAs/AlAs distributed Bragg reflector underneath to enhance the extraction efficiency of QD emission. The fundamental limit of the emission rate for the investigated structures is 0.5 GHz based on an emission lifetime of 1.95 ns determined from time-resolved photoluminescence. We prove the relevance of a proposed technology platform for the realization of non-classical light sources in the context of fiber-based quantum communication applications. KW - single-photon source KW - quantum dots KW - telecommunication spectral range KW - metamorphic buffer layer Y1 - 2021 U6 - http://nbn-resolving.de/urn/resolver.pl?urn:nbn:de:bvb:20-opus-246145 SN - 1996-1944 VL - 14 IS - 18 ER - TY - JOUR A1 - van Loock, Peter A1 - Alt, Wolfgang A1 - Becher, Christoph A1 - Benson, Oliver A1 - Boche, Holger A1 - Deppe, Christian A1 - Eschner, Jürgen A1 - Höfling, Sven A1 - Meschede, Dieter A1 - Michler, Peter A1 - Schmidt, Frank A1 - Weinfurter, Harald T1 - Extending Quantum Links: Modules for Fiber‐ and Memory‐Based Quantum Repeaters JF - Advanced Quantum Technologies N2 - Elementary building blocks for quantum repeaters based on fiber channels and memory stations are analyzed. Implementations are considered for three different physical platforms, for which suitable components are available: quantum dots, trapped atoms and ions, and color centers in diamond. The performances of basic quantum repeater links for these platforms are evaluated and compared, both for present‐day, state‐of‐the‐art experimental parameters as well as for parameters that can in principle be reached in the future. The ultimate goal is to experimentally explore regimes at intermediate distances—up to a few 100 km—in which the repeater‐assisted secret key transmission rates exceed the maximal rate achievable via direct transmission. Two different protocols are considered, one of which is better adapted to the higher source clock rate and lower memory coherence time of the quantum dot platform, while the other circumvents the need of writing photonic quantum states into the memories in a heralded, nondestructive fashion. The elementary building blocks and protocols can be connected in a modular form to construct a quantum repeater system that is potentially scalable to large distances. KW - color centers KW - quantum communication KW - quantum dots KW - quantum repeaters KW - trapped atoms/ions Y1 - 2020 U6 - http://nbn-resolving.de/urn/resolver.pl?urn:nbn:de:bvb:20-opus-228322 VL - 3 IS - 11 ER - TY - JOUR A1 - Rudno-Rudziński, W. A1 - Syperek, M. A1 - Andrezejewski, J. A1 - Maryński, A. A1 - Misiewicz, J. A1 - Somers, A. A1 - Höfling, S. A1 - Reithmaier, J. P. A1 - Sęk, G. T1 - Carrier delocalization in InAs/InGaAlAs/InP quantum-dash-based tunnel injection system for 1.55 μm emission JF - AIP Advances N2 - We have investigated optical properties of hybrid two-dimensional-zero-dimensional (2D-0D) tunnel structures containing strongly elongated InAs/InP(001) quantum dots (called quantum dashes), emitting at 1.55 μm. These quantum dashes (QDashes) are separated by a 2.3 nm-width barrier from an InGaAs quantum well (QW), lattice matched to InP. We have tailored quantum-mechanical coupling between the states confined in QDashes and a QW by changing the QW thickness. By combining modulation spectroscopy and photoluminescence excitation, we have determined the energies of all relevant optical transitions in the system and proven the carrier transfer from the QW to the QDashes, which is the fundamental requirement for the tunnel injection scheme. A transformation between 0D and mixed-type 2D-0D character of an electron and a hole confinement in the ground state of the hybrid system have been probed by time-resolved photoluminescence that revealed considerable changes in PL decay time with the QW width changes. The experimental discoveries have been explained by band structure calculations in the framework of the eight-band k·p model showing that they are driven by delocalization of the lowest energy hole state. The hole delocalization process from the 0D QDash confinement is unfavorable for optical devices based on such tunnel injection structures. KW - physics KW - surface collisions KW - electronic coupling KW - transition radiation KW - time-resolved photoluminescence KW - photoluminescence excitation KW - modulation spectroscopy KW - quantum dots KW - quantum wells KW - delocalization Y1 - 2017 U6 - http://nbn-resolving.de/urn/resolver.pl?urn:nbn:de:bvb:20-opus-181787 VL - 7 IS - 1 ER - TY - JOUR A1 - Rau, Markus A1 - Heindel, Tobias A1 - Unsleber, Sebastian A1 - Braun, Tristan A1 - Fischer, Julian A1 - Frick, Stefan A1 - Nauerth, Sebastian A1 - Schneider, Christian A1 - Vest, Gwenaelle A1 - Reitzenstein, Stephan A1 - Kamp, Martin A1 - Forchel, Alfred A1 - Höfling, Sven A1 - Weinfurter, Harald T1 - Free space quantum key distribution over 500 meters using electrically driven quantum dot single-photon sources-a proof of principle experiment JF - New Journal of Physics N2 - Highly efficient single-photon sources (SPS) can increase the secure key rate of quantum key distribution (QKD) systems compared to conventional attenuated laser systems. Here we report on a free space QKD test using an electrically driven quantum dot single-photon source (QD SPS) that does not require a separate laser setup for optical pumping and thus allows for a simple and compact SPS QKD system. We describe its implementation in our 500 m free space QKD system in downtown Munich. Emulating a BB84 protocol operating at a repetition rate of 125 MHz, we could achieve sifted key rates of 5-17 kHz with error ratios of 6-9% and g((2))(0)-values of 0.39-0.76. KW - QKD KW - electrically driven KW - free space KW - quantum dots KW - quantum key distribution Y1 - 2014 U6 - http://nbn-resolving.de/urn/resolver.pl?urn:nbn:de:bvb:20-opus-116760 VL - 16 IS - 043003 ER - TY - THES A1 - Krebs, Roland T1 - Herstellung und Charakterisierung von kanten- und vertikalemittierenden (Ga)InAs/Ga(In)As-Quantenpunkt(laser)strukturen T1 - Fabrication and Characterization of edge and vertical emitting (Ga)InAs/Ga(In)As quantum dot (laser) structures N2 - Im Vergleich zu Quantenfilmlasern haben Quantenpunktlaser (unter anderem) die Vorteile, dass kleinere Schwellenströme zu erreichen sind und die Emissionswellenlänge über einen größeren Bereich abgestimmt werden kann, da diese aufgrund der Größenfluktuation im Quantenpunktensemble über ein breites Verstärkungsspektrum verfügen. Ziel des ersten Teils der Arbeit war es, monomodige 1.3 µm Quantenpunktlaser für Telekommunikationsanwendungen herzustellen und deren Eigenschaften zu optimieren. Es wurden sechs Quantenpunktschichten als aktive Zone in Laserstrukturen mit verbreitertem Wellenleiter eingebettet. Eine Messung der optischen Verstärkung einer solchen Laserstruktur mit sechs Quantenpunktschichten ergab einen Wert von 16.6 1/cm (für den Grundzustandsübergang) bei einer Stromdichte von 850 A/cm^2. Dadurch ist Laserbetrieb auf dem Grundzustand bis zu einer Resonatorlänge von 0.8 mm möglich. Für eine Laserstruktur mit sechs asymmetrischen DWELL-Schichten und optimierten Wachstumsparametern ergab sich eine Transparenzstromdichte von etwa 20 A/cm^2 pro Quantenpunktschicht und eine interne Quanteneffizienz von 0.47 bei einer internen Absorption von 1.0 1/cm. Aus den Laserproben wurden außerdem Stegwellenleiterlaser hergestellt. Mit einem 0.8 mm x 4 µm großen Bauteil konnte im gepulsten Betrieb Laseroszillation bis zu einer Rekordtemperatur von 156 °C gezeigt werden. 400 µm x 4 µm große Bauteile mit hochreflektierenden Spiegelvergütungen wiesen im Dauerstrichbetrieb Schwellenströme um 6 mA und externe Quanteneffizienzen an der Frontfacette von 0.23 W/A auf. Für Telekommunikationsanwendungen werden Bauteile benötigt, die lateral und longitudinal monomodig emittieren. Bei kantenemittierenden Lasern kann dies durch das DFB-Prinzip (DFB: distributed feedback) erreicht werden. Im Rahmen dieser Arbeit wurden die weltweit ersten DFB-Laser auf der Basis von 1.3 µm Quantenpunktlaserstrukturen hergestellt. Dazu wurden lateral zu den Stegen durch Elektronenstrahllithographie Metallgitter definiert, die durch Absorption die Modenselektion bewirken. Dank des etwa 100 nm breiten Verstärkungsspektrums der Laserstrukturen konnte eine Verstimmung der Emissionswellenlänge über einen Wellenlängenbereich von 80 nm ohne signifikante Verschlechterung der Bauteildaten erzielt werden. Anhand der 0.8 mm langen Bauteile wurden die weltweit ersten ochfrequenzmessungen an Lasern dieser Art durchgeführt. Für Quantenpunktlaser sind theoretisch aufgrund der hohen differentiellen Verstärkung kleine statische Linienbreiten und ein kleiner Chirp zu erwarten. Dies zeigte sich auch im Experiment. Der zweite Teil der Arbeit befasst sich mit vertikal emittierenden Quantenpunktstrukturen. Ziel dieses Teils der Arbeit war es, Quantenpunkt-VCSEL mit dotierten Spiegeln zunächst im Wellenlängenbereich um 1 µm herzustellen und auf dieser Basis die Realisierbarkeit von 1.3 µm Quantenpunkt-VCSELn zu untersuchen. Zunächst wurden undotierte Mikroresonatorstrukturen für Grundlagenuntersuchungen hergestellt, um die Qualität der Spiegelschichten zu testen und zu optimieren. Diese Strukturen bestanden aus 23.5 Perioden von Spiegelschichten aus AlAs und GaAs im unteren DBR (DBR: Distributed Bragg Reflector), einer lambda-dicken Kavität aus GaAs mit einer Quantenpunktschicht im Zentrum und einem oberen DBR mit 20 Perioden. Es konnten Resonatoren mit sehr hohen Güten über 8000 realisiert werden. Für die weiteren Arbeiten hinsichtlich der Herstellung von Quantenpunkt-VCSEL-Strukturen haben die Untersuchungen an den Mikroresonatorstrukturen gezeigt, dass es an der verwendeten MBE-Anlage möglich ist, qualitativ sehr hochwertige Spiegelstrukturen herzustellen. Aufbauend auf den Ergebnissen, die aus der Herstellung und Charakterisierung der Mikroresonatorstrukturen gewonnen worden waren, wurden nun Quantenpunkt-VCSEL-Strukturen hergestellt. Es wurden Strukturen mit 17.5 Perioden im unteren und 21 Perioden im oberen DBR sowie mit 20.5 Perioden im unteren und 30 Perioden im oberen DBR hergestellt. Erwartungsgemäß zeigten die VCSEL mit der höheren Spiegelanzahl auch die besseren Bauteildaten. Um VCSEL auch im Dauerstrich betreiben zu können, wurden Bauteile mit Oxidapertur hergestellt. Dazu wurden bei 30 µm großen Mesen die beiden Aperturschichten aus AlAs auf beiden Seiten der Kavität zur Strompfadbegrenzung bis auf 6 µm einoxidiert. Es konnte gezeigt werden, dass die Realisierung von Quantenpunkt-VCSELn im Wellenlängenbereich um 1 µm mit komplett dotierten Spiegeln ohne größere Abstriche bei den Bauteildaten möglich ist. Bei der Realisierung von 1.3 µm Quantenpunkt-VCSELn mit dotierten Spiegeln bereitet die im Vergleich zu den Absorptionsverlusten geringe optische Verstärkung Probleme. N2 - In comparison to quantum well lasers, quantum dot lasers provide (among others) the advantages that lower threshold currents are achievable and that the emission wavelength can be tuned over a larger range because the gain spectrum is wider due to the inhomogeneous broadening of the size distribution. The first part of the thesis deals with the theoretical basics and the preliminary investigations which were done before the fabrication of 1.3 µm quantum dot lasers as well as the characteristics of these lasers. The objective of this part of the thesis was the fabrication of single mode 1.3 µm quantum dot lasers for telecommunication applications and the optimization of their properties. Six quantum dot layers were included in the active region of a laser structure with a large optical cavity. The measurement of the optical gain of such a laser structure with six quantum dot layers yielded a value of 16.6 1/cm (for the ground state transition) at a current density of 850 A/cm^2. Thus, laser operation on the ground state is possible down to a cavity length of 0.8 mm. For a laser structure with six asymmetric DWELL layers and optimized growth parameters, a transparency current density of about 20 A/cm^2 per quantum dot layer and an internal quantum efficiency of 0.47 at an internal absorption as low as 1.0 1/cm could be obtained. Based on the laser structures ridge waveguide lasers were processed. With a 0.8 mm x 4 µm large device, laser operation in pulsed mode until 156 °C could be demonstrated. 400 µm x 4 µm large devices with highly reflective mirror coatings operated in continuous wave mode showed threshold currents as low as 6 mA and external quantum efficiencies at the front facet of 0.23 W/A. With these devices continuous wave operation up to 80 °C at an output power above 1 mW is possible. For telecommunication applications devices are needed that show lateral and longitudinal single mode emission. In the case of edge emitting lasers this can be realized with the DFB principle (DFB: distributed feedback). In the scope of this thesis the worldwide first DFB lasers on 1.3 µm quantum dot laser structures were fabricated. During the process, metal gratings lateral to the ridges were defined by electron beam lithography which cause the mode selection by absorption. Due to the 100 nm broad gain spectrum of the laser structures, the emission wavelength could be tuned over a range of about 80 nm without a significant degradation of the device properties. With 0.8 mm long DFB lasers the worldwide first high frequency measurements on lasers of this kind were performed. For quantum dot lasers one theoretically expects a small static linewidth and a small chirp because of the high differential gain. This was confirmed by the experiment. The second part of the thesis deals with vertical cavity surface emitting quantum dot structures. The main objective of this part of the thesis was to fabricate quantum dot VCSELs with doped mirrors in wavelength range around 1 µm and to examine on this basis the realizability of 1.3 µm quantum dot VCSELs. At first, undoped microresonator structures for fundamental studies were fabricated in order to test and to optimize the quality of the mirror layers. These structures consisted of 23.5 periods of AlAs and GaAs mirror layers in the lower DBR (DBR: Distributed Bragg Reflector), a lambda thick GaAs cavity with a single quantum dot layer in the center and an upper DBR with 20 periods. Resonators with high quality factors well above 8000 could be realized. For the further workings concerning the fabrication of quantum dot VCSEL structures the investigations on the microresonator samples have shown that with the MBE system used it is possible to fabricate high quality mirror structures. Based on the results from the fabrication and characterization of the microresonator structures, quantum dot VCSEL structures were fabricated. The VCSEL structures were designed as bottom emitters, which means that they emit from the substrate side. This design permits the epi-side down mounting of the samples on a heat sink. Samples with 17.5 periods in the lower and 21 periods in the upper DBR as well as samples with 20.5 periods in the lower and 30 periods in the upper DBR were fabricated. To be able to operate the VCSELs in continuous wave mode, devices with oxide aperture were processed. For that purpose, on 30 µm pillars both aperture layers consisting of AlAs adjacent to the cavity were oxidized down to a diameter of 6 µm to confine the current path. It could be demonstrated that the realization of quantum dot VCSELs in the 1 µm wavelength range with doped mirrors is possible without having to accept a trade-off as to the device performance. When trying to realize 1.3 µm quantum dot VCSELs with doped mirrors one runs into problems with the optical gain which is rather low as compared to the absorption losses. KW - Drei-Fünf-Halbleiter KW - Halbleiterlaser KW - Halbleiterlaser KW - GaAs KW - Quantenpunkte KW - VCSEL KW - DFB-Laser KW - semiconductor lasers KW - GaAs KW - quantum dots KW - VCSEL KW - DFB laser Y1 - 2004 U6 - http://nbn-resolving.de/urn/resolver.pl?urn:nbn:de:bvb:20-opus-11328 ER - TY - JOUR A1 - He, Yu-Ming A1 - Iff, Oliver A1 - Lundt, Nils A1 - Baumann, Vasilij A1 - Davanco, Marcelo A1 - Srinivasan, Kartik A1 - Höfling, Sven A1 - Schneider, Christian T1 - Cascaded emission of single photons from the biexciton in monolayered WSe\(_{2}\) JF - Nature Communications N2 - Monolayers of transition metal dichalcogenide materials emerged as a new material class to study excitonic effects in solid state, as they benefit from enormous Coulomb correlations between electrons and holes. Especially in WSe\(_{2}\), sharp emission features have been observed at cryogenic temperatures, which act as single photon sources. Tight exciton localization has been assumed to induce an anharmonic excitation spectrum; however, the evidence of the hypothesis, namely the demonstration of a localized biexciton, is elusive. Here we unambiguously demonstrate the existence of a localized biexciton in a monolayer of WSe\(_{2}\), which triggers an emission cascade of single photons. The biexciton is identified by its time-resolved photoluminescence, superlinearity and distinct polarization in micro-photoluminescence experiments. We evidence the cascaded nature of the emission process in a cross-correlation experiment, which yields a strong bunching behaviour. Our work paves the way to a new generation of quantum optics experiments with two-dimensional semiconductors. KW - lasers KW - LED KW - quantum dots KW - light sources Y1 - 2016 U6 - http://nbn-resolving.de/urn/resolver.pl?urn:nbn:de:bvb:20-opus-169363 VL - 7 ER - TY - JOUR A1 - Hargart, F A1 - Roy-Choudhury, K A1 - John, T A1 - Portalupi, S L A1 - Schneider, C A1 - Höfling, S A1 - Kamp, M A1 - Hughes, S A1 - Michler, P T1 - Probing different regimes of strong field light-matter interaction with semiconductor quantum dots and few cavity photons JF - New Journal of Physics N2 - In this work we present an extensive experimental and theoretical investigation of different regimes of strong field light–matter interaction for cavity-driven quantum dot (QD) cavity systems. The electric field enhancement inside a high-Q micropillar cavity facilitates exceptionally strong interaction with few cavity photons, enabling the simultaneous investigation for a wide range of QD-laser detuning. In case of a resonant drive, the formation of dressed states and a Mollow triplet sideband splitting of up to 45 μeV is measured for amean cavity photon number \(\leq\) 1. In the asymptotic limit of the linear ACStark effect we systematically investigate the power and detuning dependence of more than 400 QDs. Some QD-cavity systems exhibit an unexpected anomalous Stark shift, which can be explained by an extended dressed 4-levelQDmodel.Weprovide a detailed analysis of the QD-cavity systems properties enabling this novel effect. The experimental results are successfully reproduced using a polaron master equation approach for the QD-cavity system, which includes the driving laser field, exciton-cavity and exciton-phonon interactions KW - light–matter interaction KW - quantum dots KW - AC Stark effect KW - dressed states Y1 - 2016 U6 - http://nbn-resolving.de/urn/resolver.pl?urn:nbn:de:bvb:20-opus-166278 VL - 18 ER - TY - THES A1 - Dembski, Sofia Viktorovna T1 - Synthese und Charakterisierung von II-VI-Halbleiter-Nanopartikeln in unterschiedlicher Umgebung T1 - Synthesis and Characterization of II-VI-Semiconductor Nanoparticles in Selected Environment N2 - Gegenstand dieser Arbeit ist die Synthese und Charakterisierung von II-VI-Halbleiter-Nanopartikeln (NP) in unterschiedlicher Umgebung. Aufgrund des großen Oberfläche-zu-Volumen-Verhältnisses werden Partikeleigenschaften stark durch ihre Oberfläche und die Wechselwirkung mit der Umgebung beeinflusst. Zuerst wurden strukturierte CdSe und CdSe/ZnS-Kern-Schale Nanopartikel durch eine organometallische Synthese in koordinierenden Lösungsmitteln hergestellt. Die optischen und elektronischen Eigenschaften wurden mittels Absorptions-(UV/VIS)-, Fluoreszenz- und konfokaler Fluoreszenz-Korrelations-Spektroskopie (FCS) untersucht. Die Ermittlung der Kristallstruktur erfolgte durch hochauflösende Transmissionselektronenmikroskopie (HRTEM) und Röntgenpulverdiffraktometrie (XRD). Die experimentellen XRD Resultate wurden durch Simulationen mittels der Debye-Formel sowie Berechnung einer Paarverteilungsfunktion (PDF) für die verschiedenen Nanopartikel-Modelle ausgewertet. Somit konnten die Partikelgröße, -form und die Kristallstruktur ermittelt werden. Ramanspektroskopische Untersuchungen ergaben Informationen über die Zusammensetzung des anorganischen Partikelkerns sowie seiner stabilisierenden Ligandenhülle. Aufbauend auf diesen Ergebnissen aus unterschiedlichen spektroskopischen und mikroskopischen Methoden konnte ein Struktur-Modell für die Kern-Schale Nanopartikel entwickelt werden. Dabei ist ein prolater wurtzitischer CdSe-Kern mit einer segmentartigen, lückenhaften ZnS-Schale beschichtet, die eine Zinkblende-Struktur aufweist. Zur Untersuchung der Umgebungseffekte wurden die CdSe- und CdSe/ZnS-Halbleiter-NP mit hydrophilen Liganden funktionalisiert, reversibel mit einer Polymerhülle beschichtet sowie kontrolliert in Silica-Kolloide eingebettet (Multikernpartikel). Somit konnten die Nanopartikel in unterschiedlich polaren und apolaren Lösungsmitteln stabilisiert und charakterisiert werden. Im Hinblick auf die Anwendungen von Halbleiter-NP als Marker in den Lebenswissenschaften wurde die Biokompatibilität und die lichtinduzierte Fluoreszenzverstärkung von Polymer-beschichteten II-VI-Halbleiter-NP und CdSe/ZnS-dotierten Silica-Kolloiden in unterschiedlichen Umgebungen untersucht. Mit Hilfe der erhaltenen Resultate ist ein neues qualitatives Modell für die lichtinduzierten Aktivierungs- und Desaktivierungsprozesse in Multikernpartikeln entwickelt worden. Ein weiterer Aspekt dieser Arbeit war die Untersuchung der lokalen elektronischen Struktur von II-VI-Halbleiter-NP in unterschiedlichen Umgebungen durch elementspezifische Anregung mit weicher Röntgenstrahlung. Dazu wurde ein Verfahren weiterentwickelt, das es erlaubt, einzelne gespeicherte feste und flüssige Nanopartikel substratfrei mit Hilfe von Synchrotronstrahlung zu analysieren. Darüber hinaus wurde die Röntgenabsorptionsfeinstruktur von deponierten CdSe/ZnS-dotierten Silica-Kolloiden durch die Messung der röntgenangeregten optischen Fluoreszenz (XEOL) bzw. durch die Bestimmung der totalen Elektronenausbeute (TEY) untersucht. N2 - Subject of this thesis is the synthesis and characterization of II-VI-semiconductor nanoparticles (quantum dots, QD) in selected environments. Structured CdSe and CdSe/ZnS core-shell nanoparticles have been prepared by syntheses that are based on the high temperature thermolysis of organometallic precursors in the presence of stabilizing agents. The influence of the local environment on the optical properties of the QD is studied by optical absorption (UV/VIS), photoluminescence, and confocal fluorescence correlation spectroscopy (FCS). The crystal structure of the nanoparticles is characterized by high-resolution electron microscopy (HRTEM) and X-ray diffraction (XRD). The diffraction patterns are fitted directly by modeling the nanocrystals using the Debye equation and pair distribution function (PDF), which models the interatomic distances within the sample. These results allowed us to determine fundamental parameters, such as size, shape, and crystal structure. Raman spectroscopy probes the lattice vibrations of the nanocrystals. This approach is applied to investigate the composition of the core-shell particles and especially to study the bonding between the stabilizing ligands and the nanoparticle surface by analyzing the internal vibrational modes. The results of the several characterization methods allowed us to develop a new model for the core-shell particle structure: ZnS with a zincblende structure forms an irregularly shaped shell around the elongated CdSe core which has a wurtzite structure. Further, the particles are subsequently functionalized either by an exchange of their ligands, or by the reversible adsorption of an amphiphilic polymer. Alternatively, they are embedded in silica colloids in a controlled way (multicore particles). As a result, the nanoparticle properties can be studied in various solvents ranging from apolar to polar liquids as well as in solid environments. Moreover, multicore particles have the potential to be used as selective labels for biological studies. Therefore, the cytotoxicity and the light induced enhancement of the luminescence of the multicore particles in various environments are investigated. Based on the present results, a new qualitative model for the mechanism of the photoactivation and -deactivation of CdSe/ZnS dotted silica colloids in various solvents is developed. The local electronic structure of the QD is studied by element-specific excitation using soft X-rays. For this purpose, a recently developed approach has been improved, allowing the investigation of single solid and liquid particles trapped in an electrodynamic particle trap, which are probed by monochromatic synchrotron radiation. In addition, the near edge X-ray absorption fine structure of deposited CdSe/ZnS doped silica colloids is determined by the measurement of the X-ray excited optical luminescence (XEOL) and the total electron yield (TEY). KW - Zwei-Sechs-Halbleiter KW - Nanopartikel KW - II-VI-Halbleiter-Nanopartikel KW - Umgebungseffekte KW - Oberflächenmodifizierung KW - Multikernpartikel KW - Fluoreszenzverstärkung KW - Röntgenabsorptionsfeinstruktur KW - II-VI-semiconductor nanoparticles KW - quantum dots KW - environmental effects KW - surface modifications KW - multicore particles KW - photoactivation KW - NEXAFS Y1 - 2007 U6 - http://nbn-resolving.de/urn/resolver.pl?urn:nbn:de:bvb:20-opus-22066 ER -