Vertikal emittierende Sendedioden auf GaAs-Basis für den nahen Infrarotbereich

Vertical light emitting devices based on GaAs for the near infrared wavelength region

Please always quote using this URN: urn:nbn:de:bvb:20-opus-16728
  • Design und Implementierung überragender vertikaler Sendedioden sowie Tunnelkontakte auf GaAs-Basis.
  • Design and implementation of record vertical light emitting devices and tunnel junctions based on GaAs.

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Metadaten
Author: Carsten Möller
URN:urn:nbn:de:bvb:20-opus-16728
Document Type:Doctoral Thesis
Granting Institution:Universität Würzburg, Fakultät für Physik und Astronomie
Faculties:Fakultät für Physik und Astronomie / Physikalisches Institut
Date of final exam:2005/12/21
Language:German
Year of Completion:2005
Dewey Decimal Classification:5 Naturwissenschaften und Mathematik / 53 Physik / 530 Physik
GND Keyword:Vertikalresonator; Galliumarsenid
Tag:GaAs; Sendedioden; vertikal
GaAs; point emitters; vertical
Release Date:2006/02/21
Advisor:Prof. Dr. Alfred Forchel