Diluted magnetic semiconductor Resonant Tunneling Structures for spin manipulation

Verdünnt magnetische Halbleiter Resonante Tunnel-Strukturen für Spin Manipulation

Please always quote using this URN: urn:nbn:de:bvb:20-opus-18263
  • In this work we investigate magnetic resonant tunneling diode (RTD) structures for spin manipulation. All-II-VI semiconductor RTD structures based on [Zn,Be]Se are grown by molecular beam epitaxy. We observe a strong, magnetic field induced, splitting of the resonance peaks in the I-V characteristics of RTDs with [Zn,Mn]Se diluted magnetic semiconductors (DMS) quantum well. The splitting saturates at high fields and has strong temperature dependence. A phonon replica of the resonance is also observed and has similar behaviour to the peak. WeIn this work we investigate magnetic resonant tunneling diode (RTD) structures for spin manipulation. All-II-VI semiconductor RTD structures based on [Zn,Be]Se are grown by molecular beam epitaxy. We observe a strong, magnetic field induced, splitting of the resonance peaks in the I-V characteristics of RTDs with [Zn,Mn]Se diluted magnetic semiconductors (DMS) quantum well. The splitting saturates at high fields and has strong temperature dependence. A phonon replica of the resonance is also observed and has similar behaviour to the peak. We develop a model based on the giant Zeeman splitting of the spin levels in the DMS quantum well in order to explain the magnetic field induced behaviour of the resonance.show moreshow less
  • In dieser Arbeit werden magnetische resonante Tunneldioden (RTD) hinsichtlich ihrer Eignung zur Spin-Manipulation untersucht. [Zn, Be]Se basierende II-VI RTD-Strukturen wurden mittels Molekularstrahlepitaxie gewachsen. Man beobachtet eine starke, vom Magnetfeld induzierte Aufspaltung der Resonanz in der U-I Kennlinie derjenigen RTDs, die über einen Quantentrog aus [Zn, Mn]Se verdünnt magnetischen Halbleiter (DMS) verfügen. Diese Aufspaltung hat eine starke Temperaturabhängigkeit und erreicht bei hohen Feldern eine Sättigung. EineIn dieser Arbeit werden magnetische resonante Tunneldioden (RTD) hinsichtlich ihrer Eignung zur Spin-Manipulation untersucht. [Zn, Be]Se basierende II-VI RTD-Strukturen wurden mittels Molekularstrahlepitaxie gewachsen. Man beobachtet eine starke, vom Magnetfeld induzierte Aufspaltung der Resonanz in der U-I Kennlinie derjenigen RTDs, die über einen Quantentrog aus [Zn, Mn]Se verdünnt magnetischen Halbleiter (DMS) verfügen. Diese Aufspaltung hat eine starke Temperaturabhängigkeit und erreicht bei hohen Feldern eine Sättigung. Eine Phononen-Replika der Resonanz wird ebenfalls beobachtet und hat ähnliche Eigenschaften wie die Resonanz selbst. Es wird ein Modell entwickelt, welches auf der Giant-Zeeman-Aufspaltung der Spin-Aufgespalteten Niveaus des DMS-Quantentrogs basiert, um das magnetfeldabhängige Verhalten der Resonanz zu erklären.show moreshow less

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Metadaten
Author: Anatoliy Slobodskyy
URN:urn:nbn:de:bvb:20-opus-18263
Document Type:Doctoral Thesis
Granting Institution:Universität Würzburg, Fakultät für Physik und Astronomie
Faculties:Fakultät für Physik und Astronomie / Physikalisches Institut
Date of final exam:2005/07/29
Language:English
Year of Completion:2005
Dewey Decimal Classification:5 Naturwissenschaften und Mathematik / 53 Physik / 530 Physik
GND Keyword:Resonanz-Tunneldiode; Semimagnetischer Halbleiter; Magnetoelektronik
Tag:resonante Tunneldioden; spin Injektion; spintronik; verdünnt magnetische Halbleiter
diluted magnetic semiconductors; resonant tunneling diode; spin injection; spintronics
PACS-Classification:70.00.00 CONDENSED MATTER: ELECTRONIC STRUCTURE, ELECTRICAL, MAGNETIC, AND OPTICAL PROPERTIES / 72.00.00 Electronic transport in condensed matter (for electronic transport in surfaces, interfaces, and thin films, see section 73; for electrical properties related to treatment conditions, see 81.40.Rs; for transport properties of superconductors, see 74.25.Fy; / 72.25.-b Spin polarized transport (for ballistic magnetoresistance, see 75.47.Jn; for spin polarized transport devices, see 85.75.-d) / 72.25.Dc Spin polarized transport in semiconductors
70.00.00 CONDENSED MATTER: ELECTRONIC STRUCTURE, ELECTRICAL, MAGNETIC, AND OPTICAL PROPERTIES / 75.00.00 Magnetic properties and materials (for magnetic properties of quantum solids, see 67.80.dk; for magnetic properties related to treatment conditions, see 81.40.Rs; for magnetic properties of superconductors, see 74.25.Ha; for magnetic properties of rocks a / 75.50.-y Studies of specific magnetic materials / 75.50.Pp Magnetic semiconductors
80.00.00 INTERDISCIPLINARY PHYSICS AND RELATED AREAS OF SCIENCE AND TECHNOLOGY / 85.00.00 Electronic and magnetic devices; microelectronics; Vacuum tubes, see 84.47.+w; Microwave tubes, see 84.40.Fe; Phototubes, see 85.60.Ha; Conductors, resistors, and inductors, see 84.32.Ff, Hh / 85.75.-d Magnetoelectronics; spintronics: devices exploiting spin polarized transport or integrated magnetic fields / 85.75.Mm Spin polarized resonant tunnel junctions
Release Date:2006/07/10
Advisor:Prof. Dr. L.W. Molenkamp