@article{EckardtStasikKrameretal.2021,
  author    = {Eckardt, Jan-Niklas and Stasik, Sebastian and Kramer, Michael and R{\"o}llig, Christoph and Kr{\"a}mer, Alwin and Scholl, Sebastian and Hochhaus, Andreas and Crysandt, Martina and Br{\"u}mmendorf, Tim H. and Naumann, Ralph and Steffen, Bj{\"o}rn and Kunzmann, Volker and Einsele, Hermann and Schaich, Markus and Burchert, Andreas and Neubauer, Andreas and Sch{\"a}fer-Eckart, Kerstin and Schliemann, Christoph and Krause, Stefan W. and Herbst, Regina and H{\"a}nel, Mathias and Frickhofen, Norbert and Noppeney, Richard and Kaiser, Ulrich and Baldus, Claudia D. and Kaufmann, Martin and R{\´a}cil, Zdenek and Platzbecker, Uwe and Berdel, Wolfgang E. and Mayer, Jiř{\´i} and Serve, Hubert and M{\"u}ller-Tidow, Carsten and Ehninger, Gerhard and St{\"o}lzel, Friedrich and Kroschinsky, Frank and Schetelig, Johannes and Bornh{\"a}user, Martin and Thiede, Christian and Middeke, Jan Moritz},
  title     = {Loss-of-function mutations of BCOR are an independent marker of adverse outcomes in intensively treated patients with acute myeloid leukemia},
  series = {Cancers},
  volume    = {13},
  journal   = {Cancers},
  number    = {9},
  issn      = {2072-6694},
  doi       = {10.3390/cancers13092095},
  url       = {http://nbn-resolving.de/urn:nbn:de:bvb:20-opus-236735},
  year      = {2021},
  abstract  = {Acute myeloid leukemia (AML) is characterized by recurrent genetic events. The BCL6 corepressor (BCOR) and its homolog, the BCL6 corepressor-like 1 (BCORL1), have been reported to be rare but recurrent mutations in AML. Previously, smaller studies have reported conflicting results regarding impacts on outcomes. Here, we retrospectively analyzed a large cohort of 1529 patients with newly diagnosed and intensively treated AML. BCOR and BCORL1 mutations were found in 71 (4.6\%) and 53 patients (3.5\%), respectively. Frequently co-mutated genes were DNTM3A, TET2 and RUNX1. Mutated BCORL1 and loss-of-function mutations of BCOR were significantly more common in the ELN2017 intermediate-risk group. Patients harboring loss-of-function mutations of BCOR had a significantly reduced median event-free survival (HR = 1.464 (95\%-Confidence Interval (CI): 1.005-2.134), p = 0.047), relapse-free survival (HR = 1.904 (95\%-CI: 1.163-3.117), p = 0.01), and trend for reduced overall survival (HR = 1.495 (95\%-CI: 0.990-2.258), p = 0.056) in multivariable analysis. Our study establishes a novel role for loss-of-function mutations of BCOR regarding risk stratification in AML, which may influence treatment allocation.},
  language  = {en}
}
@phdthesis{Schliemann2004,
  author    = {Schliemann, Andreas Ulrich},
  title     = {Untersuchung von miniaturisierten GaAs/AlGaAs Feldeffekttransistoren und GaAs/InGaAs/AlGaAs Flash-Speichern},
  url       = {http://nbn-resolving.de/urn:nbn:de:bvb:20-opus-20503},
  school      = {Universit{\"a}t W{\"u}rzburg},
  year      = {2004},
  abstract  = {Im Rahmen dieser Arbeit wurden elektronische Bauelemente wie Feldeffekttransistoren, elektronische Speicherelemente sowie resonante Tunneldioden hinsichtlich neuartiger Transporteigenschaften untersucht, die ihren Ursprung in der Miniaturisierung mit Ausdehnungen kleiner als charakteristische Streul{\"a}ngen haben. Die Motivation der vorliegenden Arbeit lag darin, die Physik nanoelektronischer Bauelemente durch einen neuen Computercode: NANOTCAD nicht nur qualitativ sondern auch quantitativ beschreiben zu k{\"o}nnen. Der besondere Schwerpunkt der Transportuntersuchungen lag im nicht-linearen Transportbereich f{\"u}r Vorw{\"a}rtsspannungen, bei denen die Differenz der elektrochemischen Potentiale im aktiven Bereich der Bauelemente bei Weitem gr{\"o}ßer als die thermische Energie der Ladungstr{\"a}ger ist, da nur im nicht-linearen Transportbereich die f{\"u}r eine Anwendung elektronischer Bauelemente notwendige Gleichrichtung und Verst{\"a}rkung auftreten kann. Hierzu war es notwendig, eine detaillierte Charakterisierung der Bauelemente durchzuf{\"u}hren, damit m{\"o}glichst viele Parameter zur genauen Modellierung zur Verf{\"u}gung standen. Als Ausgangsmaterial wurden modulationsdotierte GaAs/AlGaAs Heterostrukturen gew{\"a}hlt, da sie in hervorragender struktureller G{\"u}te mit Hilfe der Molekularstrahllithographie am Lehrstuhl f{\"u}r Technische Physik mit angegliedertem Mikrostrukturlabor hergestellt werden k{\"o}nnen. Im Rahmen dieser Arbeit wurde zun{\"a}chst ein Verfahren zur Bestimmung der Oberfl{\"a}chenenergie entwickelt und durchgef{\"u}hrt, das darauf beruht, die Elektronendichte eines nahe der Oberfl{\"a}che befindlichen Elektronengases in Abh{\"a}ngigkeit unterschiedlicher Oberfl{\"a}chenschichtdicken zu bestimmen. Es zeigte sich, dass die so bestimmte Oberfl{\"a}chenenergie, einen {\"a}ußerst empfindlichen Parameter zur Beschreibung miniaturisierter Bauelemente darstellt. Um die miniaturisierte Bauelemente zu realisieren, kamen Herstellungsverfahren der Nanostrukturtechnik wie Elektronenstrahllithographie und diverse {\"A}tztechniken zum Einsatz. Durch Elektronmikroskopie wurde die Geometrie der nanostrukturierten Bauelemente genau charakterisiert. Transportmessungen wurden durchgef{\"u}hrt, um die Eingangs- und Ausgangskennlinien zu bestimmen, wobei die Temperatur zwischen 1K und Raumtemperatur variiert wurde. Die temperaturabh{\"a}ngigen Analysen erlaubten es, die Rolle inelastischer Streuereignisse im Bereich des quasi-ballistischen Transports zu analysieren. Die Ergebnisse dieser Arbeit wurden dazu verwendet, um die NANOTCAD Simulationswerkzeuge soweit zu optimieren, dass quantitative Beschreibungen von stark miniaturisierten, elektronischen Bauelementen durch einen iterativen L{\"o}sungsalgorithmus der Schr{\"o}dingergleichung und der Poissongleichung in drei Raumdimensionen m{\"o}glich sind. Zu Beginn der Arbeit wurden auf der Basis von modulationsdotierten GaAs/AlGaAs Heterostrukturen eine Vielzahl von Quantenpunktkontakten, die durch Verarmung eines zweidimensionalen Elektronengases durch spitz zulaufende Elektrodenstrukturen realisiert wurden, untersucht. Variationen der Splitgate-Geometrien wurden statistisch erfasst und mit NanoTCADSimulationen verglichen. Es konnte ein hervorragende {\"U}bereinstimmung in der Schwellwertcharakteristik von Quantenpunktkontakten und Quantenpunkten gefunden werden, die auf der genauen Beschreibung der Oberfl{\"a}chenzust{\"a}nde und der Erfassung der realen Geometrie beruhen. Ausgehend von diesen Grundcharakterisierungen nanoelektronischer Bauelemente wurden 3 Klassen von Bauelementen auf der Basis des GaAs/AlGaAs Halbleitersystems detailliert analysiert.},
  subject      = {Galliumarsenid},
  language  = {de}
}