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Patienten mit leicht bis hochgradigen Schallleitungs-, Schallempfindungs- und kombinierten Schwerhörigkeiten werden routinemäßig nach erfolglosem Hörgerätetrageversuch mit aktiven Mittelohrimplantaten versorgt. Aktive Mittelohrimplantate können an verschiedene Strukturen des Mittelohrs angekoppelt werden. Der Ort der Ankopplung ist abhängig vom Hörverlust und der individuellen Physiologie des Mittelohres. Die Hörverbesserung ist dabei stark von der Kopplungseffizienz des Implantatwandlers an die Mittelohrstruktur abhängig.
Aktuell gibt es keine zufriedenstellende Möglichkeit die Kopplungseffizienz intraoperativ zu bestimmen. Daher wird eine objektive Methode eingeführt, um intraoperativ auditorische Hirnstammantworten (BERAs) bei Stimulation über das Implantat abzuleiten. Die Vibrant Soundbrigde® (VSB) wird dabei mit einem Drahtlosüberträger (miniTEK, Signia GmbH, Erlangen) und der Carina®-Aktuator über ein Audiokabel mit der BERA-Anlage verbunden. Die BERA-Anlage überträgt die Stimuli direkt an das Implantat, welches an die Mittelohrstruktur angekoppelt ist. Die BERA-Antworten werden bei der VSB durch einen optimierten VSB-CE-Chirp und beim Carina®-System durch den Standard CE-Chirp evoziert, beginnend bei Pegeln oberhalb der Knochenleitungshörschwelle bis unter die Registrierungsschwelle. Diese Methode kann die intraoperative Integrität des Implantats sowie die Kopplungseffizienz bestimmen, um eine Aussage über den zu erwartenden Hörerfolg treffen zu können. Darüber hinaus kann die versorgte Hörschwelle verwendet werden, um die Anpassung bei Kindern oder schwierigen Fällen zu unterstützen und um eine Hörverschlechterung über die Zeit zu erfassen.
Zusammenfassend, konnte eine Methode zur Bestimmung der intraoperativen Kopplungseffizienz während der Implantation von VSBs und Carinas® etabliert werden. Darüber hinaus werden intraoperative BERA-Daten von 30 VSB- und 10-Carina®-Patienten sowie deren Hörergebnisse gezeigt.
In organic thin‐film transistors (TFTs) fabricated in the inverted (bottom‐gate) device structure, the surface roughness of the gate dielectric onto which the organic‐semiconductor layer is deposited is expected to have a significant effect on the TFT characteristics. To quantitatively evaluate this effect, a method to tune the surface roughness of a gate dielectric consisting of a thin layer of aluminum oxide and an alkylphosphonic acid self‐assembled monolayer over a wide range by controlling a single process parameter, namely the substrate temperature during the deposition of the aluminum gate electrodes, is developed. All other process parameters remain constant in the experiments, so that any differences observed in the TFT performance can be confidently ascribed to effects related to the difference in the gate‐dielectric surface roughness. It is found that an increase in surface roughness leads to a significant decrease in the effective charge‐carrier mobility and an increase in the subthreshold swing. It is shown that a larger gate‐dielectric surface roughness leads to a larger density of grain boundaries in the semiconductor layer, which in turn produces a larger density of localized trap states in the semiconductor.