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Engineering of Highly Coherent Silicon Vacancy Defects in Silicon Carbide

Erzeugung hochkohärenter Silizium Fehlstellen in Siliziumkarbid

Zitieren Sie bitte immer diese URN: urn:nbn:de:bvb:20-opus-237797
  • In this work the creation of silicon vacancy spin defects in silicon carbide with predictable properties is demonstrated. Neutron and electron irradiation was used to create silicon vacancy ensembles and proton beam writing to create isolated vacancies at a desired position. The coherence properties of the created silicon vacancies as a function of the emitter density were investigated and a power-law function established. Sample annealing was implemented to increase the coherence properties of existing silicon vacancies. Further, spectral holeIn this work the creation of silicon vacancy spin defects in silicon carbide with predictable properties is demonstrated. Neutron and electron irradiation was used to create silicon vacancy ensembles and proton beam writing to create isolated vacancies at a desired position. The coherence properties of the created silicon vacancies as a function of the emitter density were investigated and a power-law function established. Sample annealing was implemented to increase the coherence properties of existing silicon vacancies. Further, spectral hole burning was used to implement absolute dc-magnetometry.zeige mehrzeige weniger
  • In dieser Arbeit wird die Erzeugung von Silizium Fehlstellen in Siliziumkarbid mit vorhersagbaren Eigenschaften nachgewiesen. Neutronen- und Elektronenbestrahlung wurden zur Erzeugung von Ensembles von Silizium Fehlstellen verwendet, während isolierte Fehlstellen an einer gewünschten Position mit Hilfe eines Protonenstrahls erzeugt wurden. Die Kohärenz der erzeugten Silizium Fehlstellen wurde in Abhängigkeit der Emitterdichte untersucht und eine Gesetzmäßigkeit hierfür eingeführt. Um die Kohärenz der Silizium Fehlstellen zu erhöhen, wurdenIn dieser Arbeit wird die Erzeugung von Silizium Fehlstellen in Siliziumkarbid mit vorhersagbaren Eigenschaften nachgewiesen. Neutronen- und Elektronenbestrahlung wurden zur Erzeugung von Ensembles von Silizium Fehlstellen verwendet, während isolierte Fehlstellen an einer gewünschten Position mit Hilfe eines Protonenstrahls erzeugt wurden. Die Kohärenz der erzeugten Silizium Fehlstellen wurde in Abhängigkeit der Emitterdichte untersucht und eine Gesetzmäßigkeit hierfür eingeführt. Um die Kohärenz der Silizium Fehlstellen zu erhöhen, wurden Annealing Experimente durchgeführt. Des Weiteren wurde spektrales Holeburning verwendet, um absolute DC-Magnetometrie nachzuweisen.zeige mehrzeige weniger

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Autor(en): Christian Andreas Kasper
URN:urn:nbn:de:bvb:20-opus-237797
Dokumentart:Dissertation
Titelverleihende Fakultät:Universität Würzburg, Fakultät für Physik und Astronomie
Institute der Universität:Fakultät für Physik und Astronomie / Physikalisches Institut
Gutachter / Betreuer:Prof. Dr. Vladimir Dyakonov, Prof. Dr. Björn Trauzettel, Prof. Dr. Volker Behr
Datum der Abschlussprüfung:07.04.2021
Sprache der Veröffentlichung:Englisch
Erscheinungsjahr:2021
DOI:https://doi.org/10.25972/OPUS-23779
Allgemeine fachliche Zuordnung (DDC-Klassifikation):5 Naturwissenschaften und Mathematik / 53 Physik / 530 Physik
Normierte Schlagworte (GND):Störstelle; Siliciumcarbid; Kohärenz
Freie Schlagwort(e):Bestrahlung; Farbzentrum; Spin Defekt
Color Center; Irradiation; Spin defect
Fachklassifikation Physik (PACS):70.00.00 CONDENSED MATTER: ELECTRONIC STRUCTURE, ELECTRICAL, MAGNETIC, AND OPTICAL PROPERTIES / 76.00.00 Magnetic resonances and relaxations in condensed matter, Mossbauer effect / 76.30.-v Electron paramagnetic resonance and relaxation (see also 33.35.+r Electron resonance and relaxation in atomic and molecular physics; 87.80.Lg Magnetic and paramagnetic resonance in biological physics)
Datum der Freischaltung:17.05.2021
Lizenz (Deutsch):License LogoDeutsches Urheberrecht mit Print on Demand