Vertikal emittierende Sendedioden auf GaAs-Basis für den nahen Infrarotbereich
Vertical light emitting devices based on GaAs for the near infrared wavelength region
Please always quote using this URN: urn:nbn:de:bvb:20-opus-16728
- Design und Implementierung überragender vertikaler Sendedioden sowie Tunnelkontakte auf GaAs-Basis.
- Design and implementation of record vertical light emitting devices and tunnel junctions based on GaAs.
Author: | Carsten Möller |
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URN: | urn:nbn:de:bvb:20-opus-16728 |
Document Type: | Doctoral Thesis |
Granting Institution: | Universität Würzburg, Fakultät für Physik und Astronomie |
Faculties: | Fakultät für Physik und Astronomie / Physikalisches Institut |
Date of final exam: | 2005/12/21 |
Language: | German |
Year of Completion: | 2005 |
Dewey Decimal Classification: | 5 Naturwissenschaften und Mathematik / 53 Physik / 530 Physik |
GND Keyword: | Vertikalresonator; Galliumarsenid |
Tag: | GaAs; Sendedioden; vertikal GaAs; point emitters; vertical |
Release Date: | 2006/02/21 |
Advisor: | Prof. Dr. Alfred Forchel |