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Resonant Raman scattering in a zero-gap semiconductor: Interference effects and deformation potentials at the E\(_1\) and E\(_1\) + \(\Delta_1\) gaps of HgTe
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| Autor(en): | M. Rösch, R. Atzmüller, G. Schaack, Charles R. Becker |
|---|---|
| URN: | urn:nbn:de:bvb:20-opus-38062 |
| Dokumentart: | Artikel / Aufsatz in einer Zeitschrift |
| Institute der Universität: | Fakultät für Physik und Astronomie / Physikalisches Institut |
| Sprache der Veröffentlichung: | Englisch |
| Erscheinungsjahr: | 1994 |
| Originalveröffentlichung / Quelle: | In: Physical review B (1994) 49, 19, 13460-13474. |
| Allgemeine fachliche Zuordnung (DDC-Klassifikation): | 5 Naturwissenschaften und Mathematik / 53 Physik / 530 Physik |
| Datum der Freischaltung: | 23.09.2009 |