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Growth and characterization of II-VI semiconductor nanowires grown by Au catalyst assisted molecular beam epitaxy
Wachstum und Charakterisierung von II-VI Halbleiter Nanostrukturen, gewachsen mit Au Katalysatoren in einer Molekularstrahlepitaxieanlage
Please always quote using this URN: urn:nbn:de:bvb:20-opus-141385
- In the present PhD thesis the control of the morphology, such as the diameter, the length, the orientation, the density, and the crystalline quality of 1D ZnSe NWs grown by MBE for optical and transport applications has been achieved.
- Diese Doktorarbeit besch¨aftigt sich mit dem Wachstum und der Charakterisierung von ZnSe Nanodrähten. Das Ziel dieser Arbeit ist es, sowohl die Morphologie, d.h. den Durchmesser, die Länge, die Orientierung und die Dichte der ZnSe Nanodrähte, als auch deren Kristallqualität für optische Anwendungen und Transportmessungen zu kontrollieren.
Author: | Rebekka Christina Pfeuffer |
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URN: | urn:nbn:de:bvb:20-opus-141385 |
Document Type: | Doctoral Thesis |
Granting Institution: | Universität Würzburg, Fakultät für Physik und Astronomie |
Faculties: | Fakultät für Physik und Astronomie / Physikalisches Institut |
Referee: | PD Dr. Charles Gould |
Date of final exam: | 2016/11/18 |
Language: | English |
Year of Completion: | 2016 |
Dewey Decimal Classification: | 5 Naturwissenschaften und Mathematik / 53 Physik / 530 Physik |
GND Keyword: | Zinkselenid; Nanodraht; Molekularstrahlepitaxie |
Tag: | Halbleiter; Moelucar beam epitaxy; Nanowire; Semiconductor |
Release Date: | 2016/12/05 |
Licence (German): | CC BY: Creative-Commons-Lizenz: Namensnennung |