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Dephasing rates for weak localization and universal conductance fluctuations in two dimensional Si: P and Ge: P δ-layers

Zitieren Sie bitte immer diese URN: urn:nbn:de:bvb:20-opus-170934
  • We report quantum transport measurements on two dimensional (2D) Si:P and Ge:P δ-layers and compare the inelastic scattering rates relevant for weak localization (WL) and universal conductance fluctuations (UCF) for devices of various doping densities (0.3–2.5 × 10\(^{18}\)m\(^{−2}\)) at low temperatures (0.3–4.2 K). The phase breaking rate extracted experimentally from measurements of WL correction to conductivity and UCF agree well with each other within the entire temperature range. This establishes that WL and UCF, being the outcome ofWe report quantum transport measurements on two dimensional (2D) Si:P and Ge:P δ-layers and compare the inelastic scattering rates relevant for weak localization (WL) and universal conductance fluctuations (UCF) for devices of various doping densities (0.3–2.5 × 10\(^{18}\)m\(^{−2}\)) at low temperatures (0.3–4.2 K). The phase breaking rate extracted experimentally from measurements of WL correction to conductivity and UCF agree well with each other within the entire temperature range. This establishes that WL and UCF, being the outcome of quantum interference phenomena, are governed by the same dephasing rate.zeige mehrzeige weniger

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Autor(en): Saquib Shamim, S. Mahapatra, G. Scappucci, W. M. Klesse, M. Y. Simmons, Arindam Ghosh
URN:urn:nbn:de:bvb:20-opus-170934
Dokumentart:Artikel / Aufsatz in einer Zeitschrift
Institute der Universität:Fakultät für Physik und Astronomie / Physikalisches Institut
Sprache der Veröffentlichung:Englisch
Titel des übergeordneten Werkes / der Zeitschrift (Englisch):Scientific Reports
Erscheinungsjahr:2017
Band / Jahrgang:7
Heft / Ausgabe:46670
Originalveröffentlichung / Quelle:Scientific Reports 2017, 7:46670. DOI: 10.1038/srep46670
DOI:https://doi.org/10.1038/srep46670
PubMed-ID:https://pubmed.ncbi.nlm.nih.gov/28470166
Allgemeine fachliche Zuordnung (DDC-Klassifikation):5 Naturwissenschaften und Mathematik / 53 Physik / 530 Physik
Freie Schlagwort(e):electronic properties and materials; quantum information; two-dimensional materials
Datum der Freischaltung:14.10.2019
Lizenz (Deutsch):License LogoCC BY: Creative-Commons-Lizenz: Namensnennung 4.0 International