Vertikal emittierende Sendedioden auf GaAs-Basis für den nahen Infrarotbereich
Vertical light emitting devices based on GaAs for the near infrared wavelength region
Zitieren Sie bitte immer diese URN: urn:nbn:de:bvb:20-opus-16728
- Design und Implementierung überragender vertikaler Sendedioden sowie Tunnelkontakte auf GaAs-Basis.
- Design and implementation of record vertical light emitting devices and tunnel junctions based on GaAs.
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| Autor(en): | Carsten Möller |
|---|---|
| URN: | urn:nbn:de:bvb:20-opus-16728 |
| Dokumentart: | Dissertation |
| Titelverleihende Fakultät: | Universität Würzburg, Fakultät für Physik und Astronomie |
| Institute der Universität: | Fakultät für Physik und Astronomie / Physikalisches Institut |
| Datum der Abschlussprüfung: | 21.12.2005 |
| Sprache der Veröffentlichung: | Deutsch |
| Erscheinungsjahr: | 2005 |
| Allgemeine fachliche Zuordnung (DDC-Klassifikation): | 5 Naturwissenschaften und Mathematik / 53 Physik / 530 Physik |
| Normierte Schlagworte (GND): | Vertikalresonator; Galliumarsenid |
| Freie Schlagwort(e): | GaAs; Sendedioden; vertikal GaAs; point emitters; vertical |
| Datum der Freischaltung: | 21.02.2006 |
| Betreuer: | Prof. Dr. Alfred Forchel |