A Comprehensive Study of Dilute Magnetic Semiconductor Resonant Tunneling Diodes
Umfassende Untersuchung von resonanten Tunneldioden aus verdünnt-magnetischen Halbleitern
Zitieren Sie bitte immer diese URN: urn:nbn:de:bvb:20-opus-71472
- We investigate transport measurements on all II-VI semiconductor resonant tunneling diodes (RTDs). Being very versatile, the dilute magnetic semiconductor (DMS) system (Zn,Be,Mn,Cd)Se is a perfect testbed for various spintronic device designs, as it allows for separate control of electrical and magnetic properties. In contrast to the ferromagnetic semiconductor (Ga,Mn)As, doping ZnSe with Mn impurities does not alter the electrical properties of the semiconductor, as the magnetic dopant is isoelectric in the ZnSe host.
- Diese Doktorarbeit befasst sich mit Transportmessungen an resonanten Tunneldioden (engl. resonant tunneling diode, RTD), welche vollst� andig aus II-VI Halbleitermaterial bestehen. Das verd� unnt magnetische (engl. dilute magnetic semiconductor, DMS) Halbleitermaterialsystem (Zn,Be,Mn,Cd)Se ist sehr vielseitig und eignet sich hervorragend als Testsystem f� ur diverse Spintronik Bauelemente, denn magnetische und elektrische Eigenschaften lassen sich getrennt voneinander einstellen. Im Gegensatz zum ferromagnetischen Halbleiter (Ga,Mn)As ver�Diese Doktorarbeit befasst sich mit Transportmessungen an resonanten Tunneldioden (engl. resonant tunneling diode, RTD), welche vollst� andig aus II-VI Halbleitermaterial bestehen. Das verd� unnt magnetische (engl. dilute magnetic semiconductor, DMS) Halbleitermaterialsystem (Zn,Be,Mn,Cd)Se ist sehr vielseitig und eignet sich hervorragend als Testsystem f� ur diverse Spintronik Bauelemente, denn magnetische und elektrische Eigenschaften lassen sich getrennt voneinander einstellen. Im Gegensatz zum ferromagnetischen Halbleiter (Ga,Mn)As ver� andert das Dotieren von ZnSe mit Mn nicht die elektrischen Eigenschaften des Halbleiters.…
Autor(en): | Michael Rüth |
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URN: | urn:nbn:de:bvb:20-opus-71472 |
Dokumentart: | Dissertation |
Titelverleihende Fakultät: | Universität Würzburg, Fakultät für Physik und Astronomie |
Institute der Universität: | Fakultät für Physik und Astronomie / Physikalisches Institut |
Datum der Abschlussprüfung: | 26.04.2012 |
Sprache der Veröffentlichung: | Englisch |
Erscheinungsjahr: | 2011 |
Allgemeine fachliche Zuordnung (DDC-Klassifikation): | 5 Naturwissenschaften und Mathematik / 53 Physik / 530 Physik |
Normierte Schlagworte (GND): | Semimagnetischer Halbleiter; Resonanz-Tunneleffekt |
Freie Schlagwort(e): | Halbleiter; Resonante Tunneldioden; Spintronik dilute magnetic semiconductors; resonant tunneling diodes; spintronics |
Datum der Freischaltung: | 18.06.2012 |
Betreuer: | Prof. Dr. Laurens W. Molenkamp |
Lizenz (Deutsch): | Deutsches Urheberrecht |