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Growth and characterization of II-VI semiconductor nanowires grown by Au catalyst assisted molecular beam epitaxy

Wachstum und Charakterisierung von II-VI Halbleiter Nanostrukturen, gewachsen mit Au Katalysatoren in einer Molekularstrahlepitaxieanlage

Zitieren Sie bitte immer diese URN: urn:nbn:de:bvb:20-opus-141385
  • In the present PhD thesis the control of the morphology, such as the diameter, the length, the orientation, the density, and the crystalline quality of 1D ZnSe NWs grown by MBE for optical and transport applications has been achieved.
  • Diese Doktorarbeit besch¨aftigt sich mit dem Wachstum und der Charakterisierung von ZnSe Nanodrähten. Das Ziel dieser Arbeit ist es, sowohl die Morphologie, d.h. den Durchmesser, die Länge, die Orientierung und die Dichte der ZnSe Nanodrähte, als auch deren Kristallqualität für optische Anwendungen und Transportmessungen zu kontrollieren.

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Metadaten
Autor(en): Rebekka Christina Pfeuffer
URN:urn:nbn:de:bvb:20-opus-141385
Dokumentart:Dissertation
Titelverleihende Fakultät:Universität Würzburg, Fakultät für Physik und Astronomie
Institute der Universität:Fakultät für Physik und Astronomie / Physikalisches Institut
Gutachter / Betreuer:PD Dr. Charles Gould
Datum der Abschlussprüfung:18.11.2016
Sprache der Veröffentlichung:Englisch
Erscheinungsjahr:2016
Allgemeine fachliche Zuordnung (DDC-Klassifikation):5 Naturwissenschaften und Mathematik / 53 Physik / 530 Physik
Normierte Schlagworte (GND):Zinkselenid; Nanodraht; Molekularstrahlepitaxie
Freie Schlagwort(e):Halbleiter; Moelucar beam epitaxy; Nanowire; Semiconductor
Datum der Freischaltung:05.12.2016
Lizenz (Deutsch):License LogoCC BY: Creative-Commons-Lizenz: Namensnennung