Growth and characterization of II-VI semiconductor nanowires grown by Au catalyst assisted molecular beam epitaxy
Wachstum und Charakterisierung von II-VI Halbleiter Nanostrukturen, gewachsen mit Au Katalysatoren in einer Molekularstrahlepitaxieanlage
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- In the present PhD thesis the control of the morphology, such as the diameter, the length, the orientation, the density, and the crystalline quality of 1D ZnSe NWs grown by MBE for optical and transport applications has been achieved.
- Diese Doktorarbeit besch¨aftigt sich mit dem Wachstum und der Charakterisierung von ZnSe Nanodrähten. Das Ziel dieser Arbeit ist es, sowohl die Morphologie, d.h. den Durchmesser, die Länge, die Orientierung und die Dichte der ZnSe Nanodrähte, als auch deren Kristallqualität für optische Anwendungen und Transportmessungen zu kontrollieren.
Autor(en): | Rebekka Christina Pfeuffer |
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URN: | urn:nbn:de:bvb:20-opus-141385 |
Dokumentart: | Dissertation |
Titelverleihende Fakultät: | Universität Würzburg, Fakultät für Physik und Astronomie |
Institute der Universität: | Fakultät für Physik und Astronomie / Physikalisches Institut |
Gutachter / Betreuer: | PD Dr. Charles Gould |
Datum der Abschlussprüfung: | 18.11.2016 |
Sprache der Veröffentlichung: | Englisch |
Erscheinungsjahr: | 2016 |
Allgemeine fachliche Zuordnung (DDC-Klassifikation): | 5 Naturwissenschaften und Mathematik / 53 Physik / 530 Physik |
Normierte Schlagworte (GND): | Zinkselenid; Nanodraht; Molekularstrahlepitaxie |
Freie Schlagwort(e): | Halbleiter; Moelucar beam epitaxy; Nanowire; Semiconductor |
Datum der Freischaltung: | 05.12.2016 |
Lizenz (Deutsch): | CC BY: Creative-Commons-Lizenz: Namensnennung |