Vertikal emittierende Sendedioden auf GaAs-Basis für den nahen Infrarotbereich
Vertical light emitting devices based on GaAs for the near infrared wavelength region
Zitieren Sie bitte immer diese URN: urn:nbn:de:bvb:20-opus-16728
- Design und Implementierung überragender vertikaler Sendedioden sowie Tunnelkontakte auf GaAs-Basis.
- Design and implementation of record vertical light emitting devices and tunnel junctions based on GaAs.
Autor(en): | Carsten Möller |
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URN: | urn:nbn:de:bvb:20-opus-16728 |
Dokumentart: | Dissertation |
Titelverleihende Fakultät: | Universität Würzburg, Fakultät für Physik und Astronomie |
Institute der Universität: | Fakultät für Physik und Astronomie / Physikalisches Institut |
Datum der Abschlussprüfung: | 21.12.2005 |
Sprache der Veröffentlichung: | Deutsch |
Erscheinungsjahr: | 2005 |
Allgemeine fachliche Zuordnung (DDC-Klassifikation): | 5 Naturwissenschaften und Mathematik / 53 Physik / 530 Physik |
Normierte Schlagworte (GND): | Vertikalresonator; Galliumarsenid |
Freie Schlagwort(e): | GaAs; Sendedioden; vertikal GaAs; point emitters; vertical |
Datum der Freischaltung: | 21.02.2006 |
Betreuer: | Prof. Dr. Alfred Forchel |