75.70.Ak Magnetic properties of monolayers and thin films
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Die Entstehung kollinearer und nicht-kollinearer Spinstrukturen wird auf verschiedene magnetische Wechselwirkungen zurückgeführt. Für Anwendungen in der Medizin und in der Datenspeicherung ist es notwendig zu verstehen, unter welchen Parametern Frustrationen auftreten, um diese entweder zu vermeiden oder zu nutzen. In dieser Arbeit werden kollineare und nicht-kollineare Spinstrukturen auf zwei verschiedenen Materialsystemen untersucht. Das erste Materialsystem besteht aus drei atomaren Lagen Mangan auf einer (001) Oberfläche eines Wolfram-Einkristalls und das zweite Materialsystem enthält Mangan, welches verbunden mit Sauerstoff kettenförmig auf einer (001) Oberfläche eines Iridium-Einkristalls vorliegt.
Spinpolarisierte Rastertunnelmikroskopie (SP-RTM)-Messungen und -Simulationen der
dreilagigen, pseudomorphen Manganoberfläche ergeben eine nicht-kollineare Spinstruktur. Dichtefunktionaltheorie (DFT)-Berechnungen legen eine kollineare ↑↓↓-
Spinkonstellation nahe. Unter Berücksichtigung der chiralen biquadratischen Paarwechselwirkung befinden sich konische Spinspiralen mit kleinem Öffnungswinkel nah an dem energetisch niedrigsten Zustand. Spinaufgelöste DFT-Berechnungen sind abhängig von der genäherten, geometrischen Relaxation der atomaren Struktur. Kombinierte SP-RTM-Methoden weisen auf einem dreilagigen Materialsystem Spinspiralen nach und zufolge der DFT ist der kollineare bzw. nicht-kollineare Zustand des Systems durch den Abstand seiner Lagen bedingt.
SP-RTM-Messungen auf den Manganoxidketten weisen je nach Präparation eine kollineare antiferromagnetische (AFM) oder eine nicht-kollineare Spinstruktur nach. Zudem wird präsentiert, dass sich diese Spinstrukturen durch zwei verschiedene Sauerstoffdrücke und die Zufuhr von Wärme während der Präparation ineinander umschalten lassen. Durch niederenergetische Elektronenbeugung mit variabler Spannung werden zwei atomare Strukturen bestimmt, welche sich durch ihren Oxidationsgrad unterscheiden. Die nicht-kollineare Spinstruktur ist bereits in der Fachliteratur als 120° chirale Spinspirale, verursacht durch die Dzyaloshinskii-Moriya-verstärkte Ruderman-Kittel-Kasuya-Yosida (RKKY)-Wechselwirkung, bekannt. Nach aktuellen, kollinearen DFT-Berechnungen ist die kollineare Spinstruktur als AFM entlang der Ketten und als ferromagnetische Kopplung zwischen den Ketten ermittelt. Aufgrund des Nachweises eines höheren Oxidationsgrades wird eine stärkere RKKY-Austauschwechselwirkung auf der Basis der Heisenberg-Austauschwechselwirkung vermutet. Hier korreliert die Entstehung kollinearer oder nicht-kollinearer Spinstrukturen mit dem Oxidationsgrad.
In pursuit of a novel generation of devices, exploration of spin properties of the particles is needed. Spintronics is a modern field in physics which exploits spin properties to be used in addition to the charge degree of freedom. Since the conductivity mismatch problem presents a fundamental obstacle for electrical spin injection from a ferromagnetic metal into a diffusive semiconductor [SFM+00], other means for injecting spin-polarized carriers must be used. With a tunnel contact, it is possible to achieve a highly spin-polarized room-temperature tunnel injection [JWS+05]. We used a novel approach and applied magnetic RTDs for spin manipulation. In this work, properties of all-II-VI magnetic resonant tunneling diodes (RTDs), as applied to spintronics, were reported. Growth conditions were optimized to increase the peak-to-valley ratio, and the design of the RTDs was optimized for observation of spin related transport effects. When an external magnetic field was applied, spin manipulation became possible. Selforganized CdSe quantum structures were grown and investigated using optical means. After embedding them into a (Zn,Be)Se tunneling barrier, the properties were assessed by the resonant tunneling.