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Type-II quantum wells with tensile-strained GaAsSb layers for interband cascade lasers with tailored valence band mixing

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  • Optical properties of modified type II W-shaped quantum wells have been investigated with the aim to be utilized in interband cascade lasers. The results show that introducing a tensely strained GaAsSb layer, instead of a commonly used compressively strained GaInSb, allows employing the active transition involving valence band states with a significant admixture of the light holes. Theoretical predictions of multiband k.p theory have been experimentally verified by using photoluminescence and polarization dependent photoreflectanceOptical properties of modified type II W-shaped quantum wells have been investigated with the aim to be utilized in interband cascade lasers. The results show that introducing a tensely strained GaAsSb layer, instead of a commonly used compressively strained GaInSb, allows employing the active transition involving valence band states with a significant admixture of the light holes. Theoretical predictions of multiband k.p theory have been experimentally verified by using photoluminescence and polarization dependent photoreflectance measurements. These results open a pathway for practical realization of mid-infrared lasing devices with uncommon polarization properties including, for instance, polarization-independent midinfrared light emitters.zeige mehrzeige weniger

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Autor(en): M. Motyka, M. Dyksik, K. Ryczko, R. Weih, M. Dallner, S. Höfling, M. Kamp, G. Sęk, J. Misiewicz
URN:urn:nbn:de:bvb:20-opus-189795
Dokumentart:Artikel / Aufsatz in einer Zeitschrift
Institute der Universität:Fakultät für Physik und Astronomie / Physikalisches Institut
Sprache der Veröffentlichung:Englisch
Titel des übergeordneten Werkes / der Zeitschrift (Englisch):Applied Physics Letters
Erscheinungsjahr:2016
Band / Jahrgang:108
Heft / Ausgabe:10
Aufsatznummer:101905
Originalveröffentlichung / Quelle:Applied Physics Letters (2016) 108:10, 101905. https://doi.org/10.1063/1.4943193
DOI:https://doi.org/10.1063/1.4943193
Allgemeine fachliche Zuordnung (DDC-Klassifikation):5 Naturwissenschaften und Mathematik / 53 Physik / 530 Physik
Freie Schlagwort(e):GaAsSb; Type-II quantum well; interband cascade laser; modulation spectroscopy; semiconductors
Datum der Freischaltung:14.01.2021
EU-Projektnummer / Contract (GA) number:636930
OpenAIRE:OpenAIRE
Lizenz (Deutsch):License LogoCC BY: Creative-Commons-Lizenz: Namensnennung 4.0 International