Molecular beam epitaxial growth and evaluation of intrinsic and extrinsically doped (100) Hg\(_{0.8}\)Cd\(_{0.2}\)Te on (100) Cd\(_{0.96}\)Zn\(_{0.04}\)Te
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| Autor(en): | L. He, Charles R. Becker, R. N. Bicknell-Tassius, S. Scholl, G. Landwehr |
|---|---|
| URN: | urn:nbn:de:bvb:20-opus-37885 |
| Dokumentart: | Artikel / Aufsatz in einer Zeitschrift |
| Institute der Universität: | Fakultät für Physik und Astronomie / Physikalisches Institut |
| Sprache der Veröffentlichung: | Englisch |
| Erscheinungsjahr: | 1993 |
| Originalveröffentlichung / Quelle: | Journal of Applied Physics (1993) 73, 7, 3305-3312. |
| Allgemeine fachliche Zuordnung (DDC-Klassifikation): | 5 Naturwissenschaften und Mathematik / 53 Physik / 530 Physik |
| Datum der Freischaltung: | 16.09.2009 |