Molecular beam epitaxial growth of (100) Hg\(_{0.8}\)Cd\(_{0.2}\)Te on Cd\(_{0.96}\)Zn\(_{0.04}\)Te
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| Autor(en): | L. He, Charles R. Becker, R. N. Bicknell-Tassius, S. Scholl, G. Landwehr |
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| URN: | urn:nbn:de:bvb:20-opus-38044 |
| Dokumentart: | Artikel / Aufsatz in einer Zeitschrift |
| Institute der Universität: | Fakultät für Physik und Astronomie / Physikalisches Institut |
| Sprache der Veröffentlichung: | Englisch |
| Erscheinungsjahr: | 1993 |
| Originalveröffentlichung / Quelle: | Semiconductor science and technology (1993) 8, 216-220. |
| Allgemeine fachliche Zuordnung (DDC-Klassifikation): | 5 Naturwissenschaften und Mathematik / 53 Physik / 530 Physik |
| Datum der Freischaltung: | 23.09.2009 |