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Improved conductivity-measurement of semiconductor epitaxial layers by means of the contactless microwave method

Zitieren Sie bitte immer diese URN: urn:nbn:de:bvb:20-opus-37763
  • Measurements and calculations of the scattering-characteristics of stratified lossy dielectric blocks completely filling a waveguide cross section are presented. The method is used for contactless conductivity measurements of MBE-grown II-VI semiconductor layers.

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Autor(en): P. Boege, H. Schäfer, Xu Shanjia, Wu Xinzhang, S. Einfeldt, Charles R. Becker, D. Hommel, R. Geick
URN:urn:nbn:de:bvb:20-opus-37763
Dokumentart:Konferenzveröffentlichung
Institute der Universität:Fakultät für Physik und Astronomie / Physikalisches Institut
Sprache der Veröffentlichung:Englisch
Erscheinungsjahr:1994
Originalveröffentlichung / Quelle:In: Millimeter and Submillimeter Waves and Applications : proceedings of the International Conference on Millimeter and Submillimeter Waves and Applications, 10 - 14 January 1994, San Diego, California / Mohammed N. Afsar. - Bellingham u.a. : SPIE, 1994. - ISBN: 0-8194-1515-4. - (SPIE:2211) 649-658
Allgemeine fachliche Zuordnung (DDC-Klassifikation):5 Naturwissenschaften und Mathematik / 53 Physik / 530 Physik
Normierte Schlagworte (GND):Millimeterwelle; Kongreß; San Diego <Calif.; 1994>
Datum der Freischaltung:22.09.2009